[发明专利]用于在逻辑上去除非易失性存储器存储设备中的缺陷页的方法和装置

说明书

公开了能够停用块中的有缺陷的非易失性存储器(“NVM”)页的本发明的一个实施例。能够在逻辑上停用缺陷页的过程能够在执行向NVM块中的一个或多个NVM页写入信息的写入操作的同时检测缺陷或不良页。例如，在写入操作完成之后检查操作状态之后，如果在正常写入操作下操作状态未能满足一组预定义条件，则NVM页被标识为缺陷页。在标记页状态表的位置以指示NVM页为缺陷页时，包含与NVM页相关联的页缺陷信息的页状态表被存储在NVM块中的预定义页处。

优先权

本申请要求于2015年12月1日提交的题为“Method and Apparatus forLogically Removing Defective Pages in Non-Volatile Memory Storage Device”的申请序列号为62/261,748的美国临时专利申请的优先权的权益，其全部内容在此通过引用并入本文。

技术领域

本发明的一个或多个示例性实施例涉及半导体和集成电路领域。更具体地说，本发明的一个或多个示例性实施例涉及非易失性存储器(“NVM”)存储设备。

背景技术

随着诸如计算机、智能电话、移动设备、汽车、无人机、实时图像、无线设备、服务器场、大型计算机等电子设备的日益普及，对高速可靠数据存储装置的需求不断增长。为了处理各种电子设备之间的大量数据，高容量非易失性存储器(“NVM”)存储设备是高需求的。传统的NVM存储设备例如是基于闪存的存储设备，通常称为固态驱动器(“SSD”)。

例如，基于闪速存储器的SSD是使用闪速存储器单元阵列的电子NV存储设备。闪速存储器可以用几种不同类型的集成电路(“IC”)技术来制造，诸如具有例如浮栅晶体管的NOR或NAND逻辑门。取决于应用，典型的基于闪速存储器的NVM以块的形式组织，其中每个块被进一步分成页。典型的基于闪存的NVM存储装置的存取单元是页，而传统的擦除单元在给定时间是块。

然而，与传统NVM存储设备相关联的问题在于，当一个或多个NVM页变得有缺陷时，大部分或整个NVM存储设备可能被丢弃或替换。

发明内容

公开了一种能够停用块中的有缺陷的非易失性存储器(“NVM”)页的方法和装置。能够在逻辑上停用缺陷页的过程能够在执行向NVM块中的一个或多个NVM页写入信息的写入操作的同时检测缺陷或不良页。例如，在写入操作完成之后检查操作状态之后，如果在正常写入操作下操作状态未能满足一组预定义条件，则NVM页被标识为缺陷页。在标记页状态表的位置以指示NVM页为缺陷页时，包含与NVM页相关联的页缺陷信息的页状态表被存储在NVM块中的预定义页处。

在一个替代的示例性实施例中，该过程能够在执行从NVM块中的一个或多个NVM页获得数据的读取操作的同时检测缺陷或不良页。例如，在从主机接收到对存储器控制器的读取请求时，可以在读取操作期间检测有缺陷的NVM页。当在页状态表处标记缺陷页之后，包含与NVM页相关联的缺陷信息的表被存储在NVM块处的预定义页处。在一个方面，在块擦除操作之间保留页状态表的内容。另外，当页状态表指示原始目标NVM页有缺陷时，该过程能够自动调节访问NVM页。

根据下面阐述的详细描述、附图和权利要求，本发明的一个或多个示例性实施例的附加特征和益处将变得显而易见。

附图说明

根据以下给出的详细描述以及本发明的各种实施例的附图，将更全面地理解本发明的一个或多个示例性实施例，然而，其不应当被视为将本发明限制于特定实施例，而是仅用于解释和理解。

图1是示出根据本发明的一个实施例的能够在检测和管理缺陷页的同时访问NVM的存储器系统的框图；

图2是示出根据本发明的一个实施例的能够在逻辑上从一个或多个块中去除或停用一个或多个有缺陷的NVM页的NVM设备的示例性布局的框图；