[发明专利]基板处理装置的腔室清洁方法有效
申请号: | 201680069784.0 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN108292598B | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 斋藤幸正;日向寿树;土桥和也;池田恭子;守谷修司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/302;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 清洁 方法 | ||
1.一种基板处理装置的腔室清洁方法,其对基板处理装置中的腔室内进行清洁,上述基板处理装置具有上述腔室、在上述腔室内保持被处理基板的台、以及向上述被处理基板照射气体团束的喷嘴部,并具有利用上述气体团束处理上述被处理基板的功能,
其中,上述基板处理装置的腔室清洁方法包含:
在上述腔室内设置规定的反射部件;和
向上述反射部件照射气体团束,使被上述反射部件反射的气流碰撞上述腔室的壁部,而除去附着于上述腔室的壁部的颗粒。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置的腔室清洁方法,其中,
在上述台设置虚拟基板作为上述反射部件,一边使上述台上下移动,一边向上述虚拟基板照射上述气体团束,使被上述虚拟基板反射的气流碰撞上述腔室的侧壁,而除去附着于该侧壁的颗粒。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置的腔室清洁方法,其中,
在上述腔室内以能够旋转的方式设置异形的反射板作为上述反射部件,一边使上述反射板旋转,并且使上述喷嘴部移动,一边从上述喷嘴部向上述反射板照射气体团束,使被上述反射板朝各种方向反射的气流碰撞上述腔室的整个内壁,而除去上述腔室内的内壁的颗粒。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置的腔室清洁方法,其中,
在上述台设置虚拟基板,并且在上述腔室内以能够旋转的方式设置异形的反射板,来作为上述反射部件,
并且进行如下两个步骤:
一边使上述台上下移动,一边向上述虚拟基板照射上述气体团束,使被上述虚拟基板反射的气流碰撞上述腔室的侧壁,而除去附着于该侧壁的颗粒;以及
一边使上述反射板旋转,并且使上述喷嘴部移动,一边从上述喷嘴部向上述反射板照射气体团束,使被上述反射板朝各种方向反射的气流碰撞上述腔室的整个内壁,而除去上述腔室内的内壁的颗粒。
5.一种基板处理装置的腔室清洁方法,其对基板处理装置中的腔室内进行清洁,上述基板处理装置具有上述腔室、在上述腔室内保持被处理基板的台、以及向上述被处理基板照射气体团束的喷嘴部,并具有利用上述气体团束处理上述被处理基板的功能,
其中,上述基板处理装置的腔室清洁方法具有:
第一步骤,包含:在上述腔室内设置规定的反射部件;和向上述反射部件照射气体团束,使被上述反射部件反射的气流碰撞上述腔室的壁部,而除去附着于上述腔室的壁部的颗粒;和
第二步骤,从上述腔室排出被除去的上述颗粒。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置的腔室清洁方法,其中,
在上述第一步骤中,在上述台设置虚拟基板作为上述反射部件,一边使上述台上下动作,一边向上述虚拟基板照射上述气体团束,使被上述虚拟基板反射的气流碰撞上述腔室的侧壁,而除去附着于该侧壁的颗粒。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置的腔室清洁方法,其中,
在上述第一步骤中,在上述腔室内以能够旋转的方式配置异形的反射板作为上述反射部件,一边使上述反射板旋转,并且使上述喷嘴部移动,一边从上述喷嘴部向上述反射板照射气体团束,使被上述反射板朝各种方向反射的气流碰撞上述腔室的内壁整体,而除去上述腔室内的内壁的颗粒。
8.根据权利要求5所述的基板处理装置的腔室清洁方法,其中,
在上述第一步骤中,
在上述台设置虚拟基板,并且在上述腔室内以能够旋转的方式设置异形的反射板,来作为上述反射部件,
并且进行如下两个步骤:
一边使上述台上下移动,一边向上述虚拟基板照射上述气体团束,使被上述虚拟基板反射的气流碰撞上述腔室的侧壁,而除去附着于该侧壁的颗粒;以及
一边使上述反射板旋转,并且使上述喷嘴部移动,一边从上述喷嘴部向上述反射板照射气体团束,使被上述反射板朝各种方向反射的气流碰撞上述腔室的内壁整体,而除去上述腔室内的内壁的颗粒。
9.根据权利要求5所述的基板处理装置的腔室清洁方法,其中,
通过上述腔室内的吹扫以及排气来进行上述第二步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造