[发明专利]基板处理装置的腔室清洁方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。

技术领域

本发明涉及照射气体团束处理基板的基板处理装置的腔室清洁方法。

背景技术

半导体制造工序中，颗粒附着于基板是左右制品的成品率的很大原因之一。因此对基板进行用于除去颗粒的清洁处理。

半导体制造工序中，作为将附着于基板的颗粒除去的技术，以往采用双流体清洁、使用Ar、N₂等的气溶剂(aerosol)清洁，但上述技术难以应对近年的半导体装置的微型化。

因此，作为能够清洁微小图案内的装置，使用气体团束喷头(Gas ClusterShower；GCS)的基板清洁技术备受关注(例如专利文献1～3等)。

专利文献1：日本特开2013-026327号公报

专利文献2：日本特开2015-026745号公报

专利文献3：日本特开2015-041646号公报

发明内容

然而，已判明：在使用这样的GCS的基板清洁技术中，从基板除去的颗粒附着于腔室的壁部，该附着的颗粒在下一基板处理时再次附着于基板而污染基板。

因此，本发明目的在于，提供一种在使用气体团束喷头进行基板清洁处理的基板处理装置中能够将附着于腔室的内壁的颗粒有效除去的基板处理装置的腔室清洁方法。

根据本发明的第一观点，提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，其对基板处理装置中的腔室内进行清洁，上述基板处理装置具有上述腔室、在上述腔室内保持被处理基板的台、以及向上述被处理基板照射气体团束的喷嘴部，并具有利用上述气体团束处理上述被处理基板的功能，其中，包含：在上述腔室内设置规定的反射部件；和向上述反射部件照射气体团束，使被上述反射部件反射的气流碰撞上述腔室的壁部，而除去附着于上述腔室的壁部的颗粒。

根据本发明的第二观点，提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，其对基板处理装置中的腔室内进行清洁，上述基板处理装置具有腔室、在上述腔室内保持被处理基板的台、以及向上述被处理基板照射气体团束的喷嘴部，并具有利用上述气体团束处理上述被处理基板的功能，其中具有：第一步骤，包含：在上述腔室内设置规定的反射部件，和向上述反射部件照射气体团束，使被上述反射部件反射的气流碰撞上述腔室的壁部，而除去附着于上述腔室的壁部的颗粒在内；和第二步骤，从上述腔室排出被除去的上述颗粒。

上述第一观点或者第二观点的第一工序可以是以下的(a)～(c)的结构。

(a)在上述台设置虚拟基板作为上述反射部件，一边使上述台上下移动，一边向上述虚拟基板照射上述气体团束，使被上述虚拟基板反射的气流碰撞上述腔室的侧壁，而除去附着于该部分的颗粒。

(b)在上述腔室内以能够旋转的方式设置异形的反射板作为上述反射部件，一边使上述反射板旋转，并且使上述喷嘴部移动，一边从上述喷嘴部向上述反射板照射气体团束，使被上述反射板朝各种方向反射的气流碰撞上述腔室的内壁整体，而除去上述腔室内的内壁的颗粒。