[发明专利]半导体装置的制造装置以及制造方法有效
| 申请号： | 201680070449.2 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108368626B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 星野智久;滨田正人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00;C25D5/18;C25D7/12;C25D21/12;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 以及 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造装置，具有：
基板保持部，其用于保持基板；
处理液供给部，其用于对被所述基板保持部保持的基板供给处理液；
电解处理部，其与所述基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及
端子，其用于对基板施加电压，
其中，所述电解处理部具有：
直接电极，其与被供给到基板的所述处理液接触，用于在该直接电极与基板之间施加电压；以及
间接电极，其用于在被供给到基板的所述处理液中形成电场，
所述电解处理部还具有由绝缘体构成的主体部，
所述直接电极设置在所述主体部的表面，
所述间接电极设置在所述主体部的内部，
在所述主体部的内部层叠地设置有多个所述间接电极。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，
所述电解处理部保持所述端子。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，
还具有移动机构，该移动机构使所述基板保持部或者所述电解处理部相对地移动。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，
还具有旋转机构，该旋转机构用于使所述基板保持部进行旋转。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，
所述基板保持部具备上表面开口的容器，在该容器的内部保持基板且积存所述处理液。
6.一种半导体装置的制造装置，具有：
基板保持部，其用于保持基板；
处理液供给部，其用于对被所述基板保持部保持的基板供给处理液；
电解处理部，其与所述基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及
端子，其用于对基板施加电压，
其中，所述电解处理部具有：
直接电极，其与被供给到基板的所述处理液接触，用于在该直接电极与基板之间施加电压；以及
间接电极，其用于在被供给到基板的所述处理液中形成电场，
所述电解处理部保持所述端子。
7.一种半导体装置的制造装置，具有：
基板保持部，其用于保持基板；
处理液供给部，其用于对被所述基板保持部保持的基板供给处理液；
电解处理部，其与所述基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及
端子，其用于对基板施加电压，
其中，所述电解处理部具有：
直接电极，其与被供给到基板的所述处理液接触，用于在该直接电极与基板之间施加电压；以及
间接电极，其用于在被供给到基板的所述处理液中形成电场，
所述基板保持部具备上表面开口的容器，在该容器的内部保持基板且积存所述处理液。
8.一种半导体装置的制造装置，具有：
基板保持部，其用于保持基板；
处理液供给部，其用于对被所述基板保持部保持的基板供给处理液；
电解处理部，其与所述基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及
端子，其用于对基板施加电压，
其中，所述电解处理部具有：
由绝缘体构成的主体部；
共用电极，其设置在所述主体部的表面，与被供给到基板的所述处理液接触，用于在该共用电极与基板之间施加电压，并且在被供给到基板的所述处理液中形成电场；以及
电容器，其经由布线与所述共用电极连接。
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