[发明专利]半导体装置的制造装置以及制造方法

说明书

半导体装置的制造装置具有：基板保持部，其用于保持基板；处理液供给部，其用于对被该基板保持部保持的基板供给处理液；电解处理部，其与该基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及端子，其用于对基板施加电压，其中，电解处理部具有：直接电极，其与被供给到基板的处理液接触且用于在该直接电极与基板之间施加电压；以及间接电极，其用于在被供给到基板的处理液中形成电场。

技术领域

(关联申请的相互参照)

本申请主张2015年12月3日于日本申请的日本特愿2015-236353号的优先权，并在此引用其内容。

本发明涉及一种半导体装置的制造装置以及利用了该制造装置的半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，例如进行镀处理、蚀刻处理等电解处理。

以往，例如利用专利文献1中记载的镀处理装置进行针对半导体晶圆的镀处理。在镀处理装置中，与阳极电极相向配置的半导体晶圆被配置为其镀处理面朝向下方。另外，用于支承半导体晶圆的支承部构成了与该半导体晶圆连接的阴极电极。而且，使镀液通过所述阳极电极后朝向半导体晶圆的镀处理面喷射，由此进行半导体晶圆的镀处理。

另外，在专利文献1所记载的镀处理装置中设置有超声波振子，通过将由所述超声波振子振荡产生的超声波传递到镀液来对镀液进行搅拌。由此，实现镀处理的均匀性的提高。

专利文献1：日本特开2004-250747号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在利用了专利文献1所记载的镀处理装置的情况下，为了对镀液进行搅拌，需要超声波振子，从而需要大型的搅拌部件。而且，在装置结构上还存在无法设置这种搅拌部件的情况。

本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于高效地制造半导体装置。

用于解决问题的方案

为了实现所述目的，本发明的一个方式涉及一种半导体装置的制造装置，其具有：基板保持部，其用于保持基板；处理液供给部，其用于对被所述基板保持部保持的基板供给处理液；电解处理部，其与所述基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及端子，其用于对基板施加电压，其中，所述电解处理部具有：直接电极，其与被供给到基板的所述处理液接触，用于在该直接电极与基板之间施加电压；以及间接电极，其用于在被供给到基板的所述处理液中形成电场。

例如，在处理液中含有的被处理离子为阳离子的情况下，当对间接电极施加电压来在处理液中形成电场(静电场)时，在电解处理部(间接电极和直接电极)侧聚集负的带电粒子，被处理离子向基板侧移动。然后，将直接电极设为阳极、将基板设为阴极来施加电压，从而在直接电极与基板之间流通电流。于是，移动到基板侧的被处理离子的电荷被交换，被处理离子被还原。

另外，例如在被处理离子为阴离子的情况下也同样，当对间接电极施加电压来在处理液中形成电场时，被处理离子向基板侧移动。然后，将直接电极设为阴极、将基板设为阳极来施加电压，从而在直接电极与基板之间流通电流。于是，移动到基板侧的被处理离子的电荷被交换，被处理离子被氧化。

这样，在本发明的一个方式中，利用间接电极使被处理离子移动与利用直接电极和基板使被处理离子氧化或者还原(以下，有时仅称为“氧化还原”)被分开进行，因此能够以在基板的表面均匀地聚集了足够的被处理离子的状态进行被处理离子的氧化还原。因此，能够对基板的表面均匀地进行电解处理。而且，不需要为了提高电解处理的均匀性而如以往那样设置用于搅拌镀液的大型的部件，能够简化装置结构。因而，能够高效且适当地制造半导体装置。