[发明专利]电子材料用清洗剂组合物、清洗剂原液和电子材料的清洗方法

说明书

本发明的电子材料用清洗剂组合物是含有与水共沸的叔胺(A)和水(B)的清洗剂组合物，所述叔胺(A)的沸点在1个大气压下为130～250℃，叔胺(A)在所述清洗剂组合物的所述叔胺(A)和所述水(B)的总计中的重量比(％)、小于等于叔胺(A)在由叔胺(A)和水(B)构成的共沸混合物中的重量比。该清洗剂组合物即使用非常少的量(低浓度)也能够去除附着于电子材料上的颗粒，并且可以提供一种即使没有用于洗掉清洗剂成分的漂洗工序也不会使清洗剂的残渣残留的电子材料用清洗剂组合物、清洗剂原液和包含电子材料的清洗工序的清洗方法。

技术领域

本发明涉及电子材料用清洗剂组合物、清洗剂原液和电子材料的清洗方法。

背景技术

近几年来，电子行业随着向信息化、节能化、低碳化社会的转变，而使电子零部件的小型化、高性能化迅速发展。而且，在该背景下，对研磨、平坦化的技术影响很大。

例如，在有关半导体的领域中，在制造CMOS或TTL等数字IC时的光刻工序中，以准确且高效地转印精细的电路图案为目的，对于在硅晶片上所形成的氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、磷硅玻璃(PSG)等绝缘薄膜进行研磨、平坦化。另外，在处理硬盘驱动器(Hard diskDrive、HDD)等磁盘的领域中，为了将磁盘表面与磁头之间的距离控制成纳米级，并且为了兼具记录密度和可靠性，而对磁盘表面进行研磨、平坦化。并且，在处理半导体照明(LED)等光学器件和高功率二极管、晶体管等功率器件的领域中，通过研磨工序，对蓝宝石(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等基板表面的凹凸、变形、污染部分进行去除，从而使产品性能和成品率提高。

上述研磨方法有如下的方法等：使用在水性溶剂等中分散有二氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)或二氧化铈(CeO₂)等微粒而形成的研磨剂(浆料)的化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing、CMP)；和通过散布了金刚石等硬质粒子后的刷子、垫片、轮等进行机械研磨的方法。

然而，即使在任意一种方法中，大量的磨粒和研磨屑等(以下称为颗粒)也会附着于研磨后的电子材料上，导致性能和成品率的下降。因此，对它们进行去除的清洗工序是必不可少的，当务之急是开发出一种功能性且有效地去除颗粒的清洗剂组合物。关于这种清洗剂组合物，已经公开了例如下述的清洗剂组合物。

在专利文献1中公开的清洗剂组合物含有氟类阴离子表面活性剂和季铵氢氧化物，并含有作为任意成分的链烷醇胺。根据相同的文献，表明该清洗剂组合物适合用于去除半导体晶片表面上的颗粒。但是，该清洗剂组合物含有非挥发性的表面活性剂等，认为在清洗工序之后，必须要有用于洗掉它们的漂洗工序。

在专利文献2中公开的清洗剂组合物含有烷基胺类、芳香族二胺类、尿素类、硫脲类、偶氮化合物、含氮杂环化合物和特定的氨基酸类。根据相同的文献，表明该清洗剂组合物适合用于去除实施了铜布线后的半导体表面上的氧化铜和颗粒。但是，该清洗剂组合物含有非挥发性的酸(例如甘氨酸)等，人们认为在清洗工序之后，必须要有用于洗掉它们的漂洗工序。

在专利文献3中公开的清洗剂组合物含有甘氨酸、丙烯酸类聚合物、特定的非离子型化合物和水。根据相同的文献，表明该清洗剂组合物适合用于去除来自化学机械研磨(CMP)用浆料的颗粒。但是，该清洗剂组合物含有非挥发性的酸(例如甘氨酸)和聚合物等，人们认为在清洗工序之后，必须要有用于洗掉它们的漂洗工序。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3624809号公报

专利文献2：日本专利第4821082号公报

专利文献3：日本特开2008-147449号公报

发明内容