[发明专利]固态图像拾取元件、图像拾取装置以及制造固态图像拾取元件的方法有效
申请号: | 201680071102.X | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN108292665B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 田中晴美;押山到;横川创造 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B1/118;G02B5/20;G02B5/26;H01L27/14;H01L31/10;H04N25/70 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 元件 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种固态图像拾取元件,包含:
像素,其具有形成在光接收表面上的多个突起;
光接收表面侧沟槽,其是在所述光接收表面处的所述像素周围形成的沟槽;以及
光接收表面侧构件,其掩埋在所述光接收表面侧沟槽中,
其中所述像素包括被配置成接收红外光的红外光像素以及被配置成接收可见光的可见光像素,
所述红外光像素包括被配置成光电转换所述红外光的第一光电转换部分,
所述可见光像素包括被配置成光电转换所述可见光的第二光电转换部分,
所述第一光电转换部分在被认为是向上的朝向图像拾取透镜的方向上在所述第二光电转换部分下方扩展,以及
所述光接收表面侧沟槽的深度小于所述第一光电转换部分的深度且大于所述第二光电转换部分的深度,以防止混色。
2.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述多个突起的各个代表点之间的间隔为250纳米或更多。
3.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述多个突起的各个代表点之间的间隔与平行于所述光接收表面的预定方向上的所述像素大小的除数大体上相同。
4.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述多个突起形成在所述光接收表面处的所述像素的部分区域中。
5.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述光接收表面侧沟槽的深度为两微米或更多。
6.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述光接收表面侧构件包括折射率低于所述像素的构件。
7.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述光接收表面侧构件包括金属。
8.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述多个突起形成在所述红外光像素处。
9.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中所述多个突起形成在所述红外光像素和所述可见光像素两者处。
10.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,进一步包含:
近红外光中断滤光器,其被配置成中断来自所述可见光和所述红外光的所述红外光,
所述近红外光中断滤光器布置在所述可见光像素和图像拾取透镜之间。
11.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中提供多个所述像素,
所述多个像素各自接收具有个别不同波长的光,以及
所述多个像素各自包括具有对应于所述光的所述波长的深度的光电转换部分。
12.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,其中提供多个所述像素,
所述多个像素各自接收具有个别不同波长的光,以及
所述多个突起的各个代表点之间的间隔具有对应于由具备所述多个突起的所述像素接收的所述光的所述波长的值。
13.根据权利要求1所述的固态图像拾取元件,进一步包含:
相对表面侧沟槽,其形成在与形成有所述像素的衬底的所述光接收表面相对的相对表面处;以及
相对表面侧构件,其掩埋在所述相对表面侧沟槽中。
14.根据权利要求13所述的固态图像拾取元件,其中所述相对表面侧构件包括折射率低于所述像素的构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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