[发明专利]固态图像拾取元件、图像拾取装置以及制造固态图像拾取元件的方法有效
申请号: | 201680071102.X | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN108292665B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 田中晴美;押山到;横川创造 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B1/118;G02B5/20;G02B5/26;H01L27/14;H01L31/10;H04N25/70 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 元件 装置 以及 制造 方法 | ||
在固态图像拾取元件中主要是提高近红外光的灵敏度,并抑制混色。固态图像拾取元件包括像素、光接收表面侧沟槽和光接收表面侧屏蔽构件。在固态图像拾取元件中的像素的光接收表面上形成多个突起。另外,在具有形成在固态图像拾取元件中的光接收表面处的多个突起的像素周围形成光接收表面侧沟槽。另外,将光接收表面侧构件掩埋在像素周围形成的光接收表面侧沟槽中,该像素具有形成在固态图像拾取元件中的光接收表面上的多个突起。另外,近红外光像素的光电转换区域扩展到与可见光像素的光电转换区域的光接收表面相对的表面侧。另外,在与光接收表面相对的表面的像素内进一步形成沟槽。
技术领域
本技术涉及一种固态图像拾取元件、一种图像拾取装置以及一种制造固态图像拾取元件的方法。具体地,本技术涉及假定在低照度下捕获图像的一种固态图像拾取元件和一种图像拾取装置,以及一种制造固态图像拾取元件的方法。
背景技术
常规地,图像拾取装置包括用于捕获图像数据的固态图像拾取元件。在假定在诸如夜间的低照度下捕获图像的情况下,固态图像拾取元件包括布置的接收红外光的红外(IR)像素和接收可见光的可见光像素。这种固态图像拾取元件经常具有小于可见光量的红外光量,并且因此需要优先提高IR像素的灵敏度。例如,为了提高灵敏度,已经提出了一种具有提供在IR像素的光接收表面上的良好凹凸度的固态图像拾取元件(例如,参考专利文献1)。凹凸度使得光接收表面上的反射率下降并且透射率相对上升,使得与没有提供凹凸度的情况相比,由像素进行光电转换的光量增加并且IR像素的灵敏度提高。
引文列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请公开号2010-199289
发明内容
本发明要解决的问题
然而,常规技术存在入射到IR像素上的光可能泄漏到相邻可见光像素中以引起混色的风险。另外,存在IR像素的灵敏度可能由于光泄露无法充分提高的风险。因此,出现混色或灵敏度不足会降低图像质量的问题。另外,在某些情况下,混色或灵敏度不足会对可见光像素造成问题。
考虑到这些情况而提出了本技术,并且本技术的目的是提高固态图像拾取元件的灵敏度,从而抑制混色。
问题的解决方案
为了解决这些问题而提出了本技术,并且本技术的第一方面是一种固态图像拾取元件,包括:像素,其具有形成在光接收表面上的多个突起;光接收表面侧沟槽,其是在光接收表面处的像素周围形成的沟槽;以及光接收表面侧构件,其掩埋在光接收表面侧沟槽中。这种布置实现了减少光接收表面上的反射率并防止混色的功能。
另外,根据第一方面,多个突起的各个代表点之间的间隔可以是250纳米或更多。这种布置实现了减少具有间隔为250纳米或更多的多个突起的光接收表面上的反射率的功能。
另外,根据第一方面,多个突起的各个代表点之间的间隔可以与平行于光接收表面的预定方向上的像素大小的除数大体上相同。这种布置实现了减少具有间隔为像素大小的除数的多个突起的光接收表面上的反射率的功能。
另外,根据第一方面,多个突起可以形成在光接收表面处的像素的部分区域中。这种布置实现了减少具有形成在像素的部分区域中的多个突起的光接收表面上的反射率的功能。
另外,根据第一方面,光接收表面侧沟槽的深度可以为两微米或更多。这种布置实现了用深度为两微米或更多的光接收表面侧沟槽屏蔽光的功能。
另外,根据第一方面,光接收表面侧构件可以包括折射率低于像素的构件。这种布置实现了利用折射率低于像素的构件反射和散射光的功能。
另外,根据第一方面,光接收表面侧构件可以包括金属。这种布置实现了用金属吸收光的功能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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