[发明专利]成膜用材料

说明书

本发明的成膜用材料含有YO_xF_Y(X及Y是满足0＜X且X＜Y的数)所示的钇的氧氟化物及YF₃，XRD测定中的YF₃(020)面的峰高I₂与YO_xF_Y的主峰峰高I₁之比即I₂/I₁值为0.005以上且100以下。优选作为XRD测定中的Y₂O₃的主峰峰高I₄与所述YO_xF_Y的主峰峰高I₁之比即I₄/I₁值为0.01以下。

技术领域

本发明涉及含有YO_XF_Y(X及Y为满足0＜X且X＜Y的数)所示的钇的氧氟化物的成膜用材料。

背景技术

在半导体设备制造中的等离子体刻蚀等刻蚀工序中，有使用氟系气体或氯系气体等卤素系气体的情况。为了防止这些气体所导致的刻蚀装置的腐蚀，刻蚀装置的内部通常涂覆有耐腐蚀性高的物质。作为这样的物质，经常使用含有以钇为代表的稀土类元素的材料。

专利文献1中记载了由含有稀土类元素的氧氟化物(LnOF)的颗粒形成的喷涂材料。该文献中记载了“稀土类元素(Ln)的氧氟化物(LnOF)是由稀土类元素(Ln)、氧(O)、氟(F)形成的化合物。作为LnOF，还可以是稀土类元素(Ln)、氧(O)、氟(F)的摩尔比为Ln：O：F＝1：1：1的化合物。或者，LnOF还可以是所述摩尔比为除Ln：O：F＝1：1：1以外的化合物。例如，Ln＝Y时，作为LnOF，为不仅含有YOF、还含有Y₅O₄F₇、Y₇O₆F₉等、含有其中1种以上的氧氟化物的物质。”。该文献中记载了喷涂材料除了LnOF之外还可含有稀土类元素的氟化物LnF₃。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：US2015111037(A1)

发明内容

但是，专利文献1的实施例中制造的氧氟化钇实际上是钇(Y)、氧(O)、氟(F)的摩尔比为Ln：O：F＝1：1：1的化合物，即YOF，该文献中，实施例中并未制造作为氧氟化钇使用了YO_XF_Y(X及Y为满足0＜X且X＜Y的数)所示化合物(以下也仅称为YO_XF_Y)的喷涂材料。甚至该文献中，未进行任何有关利用含YO_XF_Y的喷涂材料进行的膜形成及膜的评价。另外，该文献中对于将YO_XF_Y与YF₃组合也没有记载。此外近年来，对于成膜用材料对卤素系等离子体的耐腐蚀性提高的要求变得越来越严格，专利文献1中制造的、使用了所述YOF的喷涂材料从该耐腐蚀性的观点出发，仍有改善的余地。但是，仅含有YO_XF_Y的成膜用材料从所述的耐腐蚀性的观点出发，也仍有改善的余地。

本发明的课题在于提供能够消除上述现有技术所具有的各种缺点的成膜用材料。

本发明者们惊讶地发现，YO_XF_Y所示的氧氟化钇与YF₃的混合物在将其作为成膜用材料使用时，成膜速度高，并且所得的膜对使用了氟系气体及氯系气体中的任一种卤素系气体的等离子体也具有高的耐腐蚀性，从而完成本发明。