[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法

权利要求书

1.一种TFT基板，包括：

基板；

形成在所述基板上的半导体层，所述半导体层具有顶表面和与所述顶表面相对且远离的底表面；

形成在所述半导体层的底表面上的第一导电层，所述第一导电层定义栅极；以及

形成在所述半导体层的顶表面上且与所述第一导电层相对的第二导电层，所述第二导电层定义源极以及与所述源极间隔的漏极；

其中所述第二导电层包括位于所述半导体层上的第一层和位于所述第一层上的第二层；所述第一层由金属氧化物制成；且所述第二层由铝或铝合金制成。

2.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于：一凹槽形成在所述源极与所述漏极之间，所述凹槽贯穿所述第一层和所述第二层，且其中沿所述第二层指向所述第一层的方向所述凹槽的尺寸逐渐变小。

3.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于：所述第二导电层还包括位于所述第二层上的第三层，所述第三层由金属氧化物制成。

4.如权利要求3所述的TFT基板，其特征在于：一凹槽形成在所述源极与所述漏极之间，所述凹槽贯穿所述第一层、所述第二层和所述第三层，且其中所述第三层指向所述第一层的方向所述凹槽的尺寸逐渐变小。

5.如权利要求4所述的TFT基板，其特征在于：所述第三层和所述第一层均由含有相同元素的金属氧化物制成。

6.如权利要求5所述的TFT基板，其特征在于：所述第三层和所述第一层均由含锌的相同金属氧化物制成；且所述第三层具有锌的原子百分比大于第一层的锌的原子百分比。

7.如权利要求1所述的TFT基板，其进一步包括栅极绝缘层，其中所述栅极绝缘层形成在基板上并覆盖所述栅极；且所述半导体层形成在所述栅极绝缘层上。

8.如权利要求1所述的TFT基板，其进一步包括覆盖所述半导体层和所述第二导电层的钝化层。

9.如权利要求8所述的TFT基板，其进一步包括在所述钝化层上的像素电极，其中所述像素电极电性连接所述漏极。

10.一种制备TFT基板的方法，包括：

在基板上形成栅极；

在所述基板上形成栅绝缘层并覆盖所述栅极；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成第一层，所述第一层由金属氧化物制成；

在所述第一层上形成第二层，所述第二层由铝或铝合金制成；

蚀刻所述第一层和所述第二层以形成源极以及与所述源极间隔的漏极。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：一凹槽形成在所述源极与所述漏极之间，所述凹槽贯穿所述第一层和所述第二层，且其中沿所述第二层指向所述第一层的方向所述凹槽的尺寸逐渐变小。

12.一种制备TFT基板的方法，包括：

在基板上形成栅极；

在所述基板上形成栅绝缘层并覆盖所述栅极；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成第一层，所述第一层由金属氧化物制成；

在所述第一层上形成第二层，所述第二层由铝或铝合金制成；

在所述第二层上形成第三层，所述第三层由金属氧化物制成；

蚀刻所述第一层、所述第二层和所述第三层以形成源极以及与所述源极间隔的漏极。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于：一凹槽形成在所述源极与所述漏极之间，所述凹槽贯穿所述第一层、所述第二层和所述第三层，且其中沿所述第三层指向所述第一层的方向所述凹槽的尺寸逐渐变小。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于：所述第三层和所述第一层均由含有锌的金属氧化物制成，且所述第三层具有锌的原子百分比大于第一层的锌的原子百分比。