[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法

说明书

用于平板显示器的高性能TFT基板(100)包括基板(110)、在所述基板(110)上的第一导电层(130)、位于所述第一导电层(130)上的半导体层(103)以及位于所述半导体层(103)上的第二导电层(150)。所述第一导电层(130)定义栅极(101)。所述第二导电层(150)定义源极(105)以及与源极(105)间隔的漏极(106)。所述第二导电层(150)包括所述半导体层上(103)的第一层(151)和位于所述第一层(151)上的第二层(152)。所述第一层(151)可以由金属氧化物制成。所述第二层(152)可以由铝或铝合金制成。

相关申请的交叉引用

本申请主张2015年12月16日提交的美国临时申请62/268474和2016年1月14日提交的美国临时申请62/278469的优先权，该两个美国临时申请通过引用文献加入本文。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板以及该薄膜TFT基板的制备方法。

背景技术

在平板显示器中，作为三端子元件的TFT被用作开关元件。栅极线传输用于控制薄膜晶体管的扫描信号，数据线传输施加到像素电极上的数据信号，以及其他元件被包括在平板显示器中。为了提供更好的色彩精度和显示响应时间，面板显示器需要高性能TFT。因此，在技术上有改进的空间。

附图说明

现在将参照附图仅以举例的方式描述本技术的实现。

图1是TFT基板的一部分的电路图。

图2是图1的TFT基板的示例性实施例的截面图。

图3是图1的TFT基板的示例性实施例的横截面图。

图4是制造图3的TFT基板的方法的流程图。

具体实施方式

应该理解的是，为了说明的简单和清楚，在适当的情况下，在不同附图中重复使用附图标号来指代对应或类似的元件。此外，许多具体细节被阐述以便提供对本文描述的实施例的透彻理解。然而，本领域的普通技术人员将会理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本文描述的实施例。在其他实例中，方法、工艺和组件未被详细描述以免混淆所描述的相关特征。且，该描述不被认为是限制本文描述的实施例的范围。附图不一定按比例绘制，并且某些部件的比例已被放大以更好地示出本公开的细节和特征。

应用于本公开的几个定义现在将被介绍。

术语“连接”被定义为连接，不管是直接还是间接地通过中间组件，且不一定局限于物理连接。连接可以是这样的，即物体永久连接或可释放地连接。术语“包括”，当使用时，意思是“包括但不限于”；它具体表示开放式包含或在所描述的结合、组合、系列等中的成员。

图1至图3示出了TFT基板100。如图2和图3所示，所述TFT基板100包括绝缘基板110和形成在所述绝缘基板110上的第一导电层130。所述第一导电层130包括多条扫描线121和电性连接所述多条扫描线121的多个栅极101。图1至图3，作为例子，示出了仅一个栅极101和两条扫描线121。

所述绝缘基板110通常包括绝缘材料。用于绝缘基板110的合适材料可以包括玻璃、石英、塑料和具有足够光学透明度(例如，用于视觉显示应用)的其他材料。在一些实施例中，绝缘基板110可以包括陶瓷和/或硅材料。在一些应用中，可以采用柔性基板材料。用于柔性基板的合适材料可以包括例如聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯(PE)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或其组合。