[发明专利]锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法

权利要求书

1.一种锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，其是含有硅-钛氧化物复合物而成的锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，其特征在于：

所述锂离子二次电池用负极活性物质中所含的硅-钛氧化物复合物是通过将氧化钛被覆于硅氧化物而获得，

关于所述硅氧化物，

a)是对使式(1)所表示的硅化合物进行水解及缩合反应所得的氢倍半硅氧烷聚合物(HPSQ)在惰性气体环境下进行热处理而获得，

b)含有硅(Si)、氧(O)及氢(H)，

c)在利用红外光谱法所测定的光谱中，处于820cm^-1～920cm^-1间的来源于Si-H键的峰值1的强度(I₁)与处于1000cm^-1～1200cm^-1间的来源于Si-O-Si键的峰值2的强度(I₂)之比(I₁/I₂)在0.01～0.35的范围内，

d)为通式SiOxHy(1＜x＜1.8、0.01＜y＜0.4)所表示者；

HSi(R)₃ (1)

(式中，R为分别相同或不同的选自卤素、氢、碳数1～10的经取代或未经取代的烷氧基、碳数6～20的经取代或未经取代的芳氧基及碳数7～30的经取代或未经取代的芳基烷氧基中的基团；其中，在碳数1～10的经取代或未经取代的烷氧基、碳数6～20的经取代或未经取代的芳氧基及碳数7～30的经取代或未经取代的芳基烷氧基中，任意的氢可经卤素取代)。

2.根据权利要求1所述的锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，其特征在于，所述式(1)所表示的硅化合物为三卤化硅烷或三烷氧基硅烷。

3.根据权利要求1或2所述的锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，其特征在于，对所述氢倍半硅氧烷聚合物(HPSQ)在惰性气体环境下进行热处理时的温度为600℃～950℃。

4.根据权利要求1或2所述的锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，其特征在于，对所述氢倍半硅氧烷聚合物(HPSQ)在惰性气体环境下进行热处理时的温度为650℃～900℃。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，其特征在于，所述氧化钛对硅氧化物的被覆是在惰性气体环境下在200℃～900℃的温度范围内进行热处理而成。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法，其特征在于，所述氧化钛对硅氧化物的被覆是在惰性气体环境下在250℃～850℃的温度范围内进行热处理而成。