[发明专利]高导电性的石墨烷-金属复合材料及其制备方法

权利要求书

1.用于生产石墨烷-金属复合材料的方法，当中包括：将石墨烷沉积到多孔金属泡沫衬底上，并对沉积有石墨烷的多孔金属泡沫衬底进行压缩，以形成石墨烷-金属复合材料。

2.权利要求1所述的方法，其中所述的多孔金属泡沫衬底应为泡沫镍或泡沫铜。

3.权利要求1所述的方法，其中所述多孔金属泡沫衬底的孔隙率不得低于70％。

4.权利要求1所述的方法，其中将石墨烷沉积到多孔金属泡沫衬底的程序应通过化学气相沉积法进行。

5.权利要求1所述的方法，其中将石墨烷沉积到多孔金属泡沫衬底的程序是通过在多孔金属泡沫衬底表面生成碳纳米管，然后再对多孔金属泡沫衬底进行压缩。

6.权利要求1所述的方法，其中将石墨烷沉积至多孔金属泡沫衬底的程序包括：

在多孔金属泡沫衬底的空隙内合成碳纳米管，并用碳纳米管线穿过多孔金属泡沫衬底内的空隙，然后再对多孔金属泡沫衬底进行压缩。

7.权利要求1所述的方法，其中将石墨烷沉积到多孔金属泡沫衬底的程序应包括将热弹性体聚合物或金属以3D印刷法添加至多孔金属泡沫衬底表面的空隙内，再对所述多孔金属泡沫衬底进行压缩。

8.权利要求7所述的方法，其中包括将热弹性体或金属选择性地添加至多孔金属泡沫衬底的某些区域，然后再对所述多孔金属泡沫衬底进行压缩。

9.权利要求1所述的方法，其中覆盖有石墨烷的多孔金属泡沫衬底将被压缩以去除当中大部分空隙，并使其比未被压缩的多孔金属泡沫衬底更纤薄。

10.权利要求1所述的方法，另外包括将石墨烷-金属复合材料以压铸或注塑方式制成铝、锌或塑料框架。

11.权利要求1所述的方法，另外包括将所述石墨烷-金属复合材料以辊压方法与构件相结合。

12.权利要求1所述的方法，另外包括将至少一层石墨烷-金属复合材料通过辊压方式与至少一层覆盖有石墨烷的铜箔相结合。

13.包含以下各项的石墨烷-金属复合材料：多孔金属泡沫衬底和沉积到多孔金属泡沫衬底上的石墨烷层。再对多孔金属泡沫衬底和石墨烷层进行压缩并形成石墨烷-金属复合材料。

14.权利要求13所述的石墨烷-金属复合材料，其中所述的多孔金属泡沫衬底应为泡沫镍或泡沫铜。

15.权利要求13所述的石墨烷-金属复合材料，其中所述多孔金属泡沫衬底的孔隙率不得低于70％。

16.权利要求13所述的石墨烷-金属复合材料，其中将石墨烷沉积到多孔金属泡沫衬底的程序应通过化学气相沉积法进行。

17.权利要求13所述的石墨烷-金属复合材料，其中覆盖有石墨烷的多孔金属泡沫衬底将被压缩以去除当中大部分空隙，并使其比未被压缩的多孔金属泡沫衬底更纤薄。

18.制备石墨烷-金属复合材料的方法，当中包括以下步骤：

在多孔金属泡沫衬底上沉积一层石墨烷；

在石墨烷层表面施加一层金属；

在金属层上沉积另一层石墨烷；及

将具有多层结构的多孔金属泡沫衬底进行压缩，以形成石墨烷-金属复合材料。

19.权利要求18所述的方法，其中在石墨烷层表面施加金属层，然后在金属层上沉积另一层石墨烷的步骤将被不断重复，直到得出所需层数，再对所述多层多孔金属泡沫衬底进行压缩。