[发明专利]高导电性的石墨烷-金属复合材料及其制备方法

说明书

本技术的其中一种成品是石墨烷‑金属复合材料。典型石墨烷‑金属复合材料应包含多孔金属泡沫衬底、沉积到多孔金属泡沫衬底上的石墨烷层、施加到石墨烷层表面的金属层，以及沉积到金属层上的另一层石墨烷。然后再对这个具有多层结构的多孔金属泡沫衬底进行压缩，以形成石墨烷‑金属复合材料。

相关申请的交叉引用

本申请案是于2015年11月20日提交的《高导电性的石墨烯-金属复合材料及其制备方法》(美国专利申请序号：14/947,951)的部分延续申请案。该申请案已通过引用方式并入本文。

技术领域

本技术涉及各种制备方法，包括但不限于使用其他材料(例如把石墨烯、锡烯或石墨烷沉积在多孔金属泡沫上，然后进行压缩)产成石墨烯-金属复合材料、锡烯-金属复合材料或石墨烷-金属复合材料，以显著提升材料本身的传热和导电特性。

发明内容

本技术的其中一种成品是石墨烷-金属复合材料，其中包括：任何多孔金属泡沫衬底及沉积到多孔金属泡沫衬底上的石墨烷层。沉积有石墨烷的多孔金属泡沫衬底然后会被压缩成石墨烷-金属复合材料。

在某些实践中，我们可以通过将石墨烷沉积到多孔金属泡沫衬底上，再将沉积有石墨烷的多孔金属泡沫衬底进行压缩，以形成石墨烷-金属复合材料。其中一种把石墨烷沉积到多孔金属泡沫衬底上的方法是化学气相沉积法。

本技术也可用于制备另一种石墨烷-金属复合材料，其中包含：任何多孔金属泡沫衬底；沉积到多孔金属泡沫衬底上的石墨烷层；施加在石墨烷层表面的金属层；以及沉积到金属层上的另一层石墨烷。这个具有多层结构的多孔金属泡沫衬底然后会被压缩成另一种石墨烷-金属复合材料。

在某些实践中，我们可以将一层石墨烷沉积到多孔金属泡沫衬底上，然后在石墨烷表面上施加一层金属；再在金属层上沉积另一层石墨烷；最后将这个多层多孔金属泡沫衬底进行压缩以形成石墨烯-金属复合材料。

附图说明

图1A是泡沫镍的内部结构(扫描电子显微照片)；

图1B是开孔式金属泡沫衬底，例如泡沫镍(概念图)；

图2是石墨烯的化学结构；

图3是采用化学气相沉积法将石墨烯沉积在开孔式金属泡沫衬底上，形成开孔式石墨烯-金属复合材料(概念图)；

图4是化学气相沉积法(CVD)工艺示例；

图5是采用本技术制备石墨烯-金属复合材料的示例方法(流程图)；

图6是采用本技术制备、经石墨烯强化的包覆材料(横截面)；

图7是采用本技术制备、经石墨烯强化并以辊压方式结合的镍和铜箔(横截面)；

图8是通过本技术再采用强化泡沫镍压铸而成的框架；

图9是采用本技术制备石墨烯-金属复合材料的另一示例方法(流程图)；

图10是采用本技术制备石墨烷-金属复合材料的示例方法(流程图)；

图11是采用本技术制备石墨烷-金属复合材料的另一示例方法(流程图)；

图12是用于实现本技术的示例计算机系统(示意图)。

具体实施方式

为了进一步解释此项技术(而非出于限制目的)，本文阐述了更多具体细节，例如其实际应用、程序步骤、所需技术等，旨在确保读者能对本发明有更深入透彻的理解。此外，对相关技术有所认识的行内人也能以本文内容为基础，针对此技术研发出其他实践方式。