[发明专利]偏振片保护膜、其制造方法及偏振片

权利要求书

1.一种偏振板保护膜，其含有降冰片烯类树脂和微粒，

所述降冰片烯类树脂是氢化降冰片烯类树脂，

所述微粒的二次粒子的平均粒径为0.05～0.20μm的范围内，所述二次粒子的平均粒径的相对标准偏差为5～20％的范围内，

并且，所述偏振板保护膜的表面的峰密度为1000～5000(个/mm²)的范围内，

所述偏振板保护膜混合至少含有氢化降冰片烯类树脂和微粒的膜、和氢化降冰片烯类树脂而成，

由下式定义的混合率为20～80(％)的范围内，

混合率(％)＝{a/(a+b)}×100

此处，a表示含有氢化降冰片烯类树脂和微粒的膜的质量(g)，b表示氢化降冰片烯类树脂的质量(g)。

2.根据权利要求1所述的偏振板保护膜，其中，所述偏振板保护膜的雾度值为2.0％以下。

3.根据权利要求1或2所述的偏振板保护膜，其中，

在温度40℃、相对湿度90％的环境下按照JIS Z 0208进行测定时，所述偏振板保护膜的透湿度为100～400g/m²·24h的范围内。

4.根据权利要求1或2所述的偏振板保护膜，其中，

所述偏振板保护膜的膜厚为5～40μm的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的偏振板保护膜，其中，

所述偏振板保护膜的由下式(I)定义的面内方向的相位差值R_O(nm)及由下式(II)定义的厚度方向的相位差值R_t(nm)满足下式(III)及下式(IV)，

式(I) R_o＝(n_x-n_y)×d

式(II) R_t＝{(n_x+n_y)/2-n_z}×d

式(III) |R_o|≤10nm

式(IV) |R_t|≤10nm

式(I)～(IV)中，R_o及R_t是在温度23℃、相对湿度55％的环境下通过波长590nm的光测定的相位差值，

n_x是所述偏振板保护膜的膜面内的迟相轴方向上的折射率，n_y是所述偏振板保护膜的膜面内的进相轴方向上的折射率，n_z是所述偏振板保护膜的膜厚方向上的折射率，d是所述偏振板保护膜的膜厚(nm)。

6.一种偏振板保护膜的制造方法，其是制造权利要求1～5中任一项所述的偏振板保护膜的方法，所述制造方法具有使含有所述氢化降冰片烯类树脂及溶剂的高分子溶液流延至支撑体上并进行制膜的工序。

7.一种偏振板，其具有权利要求1～5中任一项所述的偏振板保护膜。