[发明专利]多层基板有效
申请号: | 201680075289.0 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN108476592B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 秋山清和;柳场康成 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H05K1/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 | ||
1.一种多层基板,是具有沿着厚度方向(DRt)层叠的多个导体层(12、13、14、15、16、17)的多层基板,其中,所述多层基板具备:
第一线路包含层(13),具有传输信号的第一传输线路(131)和该第一传输线路连接的第一连接盘(132);
第二线路包含层(17),具有传输上述信号的第二传输线路(171)和该第二传输线路连接的第二连接盘(172);
邻接绝缘层(21),在上述厚度方向的一侧与上述第一线路包含层邻接;
第一接地包含层(12),隔着上述邻接绝缘层与上述第一线路包含层层叠,且具有扩展为面状的第一接地图案(121);
信号导通孔(38),配置在上述第一连接盘与上述第二连接盘之间,并将该第一连接盘与该第二连接盘连接;
与上述邻接绝缘层不同的其它绝缘层(25);以及
第二接地包含层(16),构成上述多个导体层中与上述第一接地包含层不同的层,隔着上述其它绝缘层与上述第二线路包含层层叠,
上述第一线路包含层、上述第二线路包含层以及上述第一接地包含层包含于上述多个导体层,
上述信号导通孔、上述第一连接盘以及上述第二连接盘包含于导通孔部分(44),该导通孔部分由于设置有上述信号导通孔而引起电感分量相对于上述第一传输线路变化,
上述第一连接盘以及上述第一接地图案隔着上述邻接绝缘层通过电容耦合而产生寄生电容(CLAND),
上述寄生电容为规定电容,该规定电容抑制由于相对于上述第一传输线路的上述导通孔部分的电感分量的变化而引起的该导通孔部分的阻抗的变化,
上述第二接地包含层具有与第一接地图案电连接的第二接地图案(161),
上述第二传输线路具有隔着上述其它绝缘层与上述第二接地图案相邻的线路部(171a)和配置在该线路部与上述第二连接盘之间的连接盘连接部(171b),
该连接盘连接部包含于上述导通孔部分。
2.根据权利要求1所述的多层基板,其中,
具备包含上述第二接地图案,并与上述第一接地图案电连接的接地连接部(40),
该接地连接部以及上述第一接地图案构成接地部分(42),
上述导通孔部分具有包含上述第一连接盘的电容耦合部(441),
该电容耦合部通过沿着上述第一接地包含层的平面方向(DRp)与上述接地部分中的一个部位(421)并排地配置从而与该一个部位电容耦合,
若上述导通孔部分的电容分量是第一寄生电容与在上述一个部位与上述电容耦合部之间产生的第二寄生电容(CVIA)的总和,则上述第一寄生电容是寄生电容(CLAND),且成为上述规定电容。
3.根据权利要求1所述的多层基板,其中,
上述第一接地图案具有在上述厚度方向上与上述第一连接盘对置的连接盘对置区域(121a),
在该连接盘对置区域内的至少一部分缺失导体,
上述导通孔部分的阻抗与上述第一传输线路的阻抗之差与没有上述缺失的情况相比变小。
4.根据权利要求2所述的多层基板,其中,
上述第一接地图案具有在上述厚度方向上与上述第一连接盘对置的连接盘对置区域(121a),
在该连接盘对置区域内的至少一部分缺失导体,
上述导通孔部分的阻抗与上述第一传输线路的阻抗之差与没有上述缺失的情况相比变小。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的多层基板,其中,
上述第一连接盘具有以上述寄生电容(CLAND)成为上述规定电容的方式决定的连接盘面积。
6.根据权利要求1~4中任意一项所述的多层基板,其中,
具备具有与上述邻接绝缘层的介电常数不同的介电常数的绝缘部件(46),
该绝缘部件设置在上述厚度方向上的上述邻接绝缘层与上述第一连接盘之间和上述邻接绝缘层与上述接地图案之间中的一方或者双方,上述导通孔部分的阻抗与上述第一传输线路的阻抗之差与没有上述绝缘部件的情况相比变小。
7.根据权利要求5所述的多层基板,其中,
具备具有与上述邻接绝缘层的介电常数不同的介电常数的绝缘部件(46),
该绝缘部件设置在上述厚度方向上的上述邻接绝缘层与上述第一连接盘之间和上述邻接绝缘层与上述接地图案之间中的一方或者双方,上述导通孔部分的阻抗与上述第一传输线路的阻抗之差与没有上述绝缘部件的情况相比变小。
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