[发明专利]铜和铜合金表面用蚀刻溶液

权利要求书

1.一种铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，所述水性蚀刻溶液包含至少一种酸、至少一种适合于铜氧化的氧化剂、至少一种卤素离子源，其特征在于所述水性蚀刻溶液包含至少一种含有至少一种根据式(I)的聚合物部分的聚酰胺

其中每个a彼此独立地选自2和3；每个b是范围从5至10000的彼此独立的整数；每个R¹是彼此独立地选自取代或未取代的C1-C8烷基基团的单价残基。

2.根据权利要求1所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于所述至少一种含有至少一种根据式(I)的聚合物部分的聚酰胺具有1,000amu至500,000amu的质均摩尔质量。

3.根据权利要求1或2所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于所述至少一种含有至少一种根据式(I)的聚合物部分的聚酰胺具有5,000amu至100,000amu的质均摩尔质量。

4.根据权利要求1或2所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于每个R¹彼此独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。

5.根据权利要求1或2所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于所述含有至少一种根据式(I)的聚合物部分的聚酰胺还含有两个聚合物封端基团，所述封端基团彼此独立地选自氢、羟基、氨基、巯基、取代或未取代的C1-C8烷基、亚氨基醇、芳烷基和芳基。

6.根据权利要求1或2所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于所述至少一种聚酰胺由至少一种根据式(I)的聚合物部分和两个聚合物封端基团组成。

7.根据权利要求6所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于一个聚合物封端基团选自芳烷基和非官能化的C1-C8烷基基团，并且另一个聚合物封端基团选自氢、羟基、α-亚氨基烷-ω-醇和氨基。

8.根据权利要求1或2所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于所述至少一种根据式(I)的聚合物部分是线性的。

9.根据权利要求1或2所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于所述水性蚀刻溶液包含总浓度为1mg/l至2000mg/l的含有至少一种根据式(I)的聚合物部分的聚酰胺。

10.根据权利要求1或2所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于所述至少一种适合于铜氧化的氧化剂选自过氧化氢、金属过氧化物、金属超氧化物、铜离子和铁离子。

11.根据权利要求10所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于所述至少一种氧化剂选自铜离子和铁离子。

12.根据权利要求1或2所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于所述至少一种酸选自硫酸、烷基磺酸、芳基磺酸、硝酸、磷酸、甲酸、乙酸、丙酸及其混合物。

13.根据权利要求1或2所述的铜和铜合金表面用水性蚀刻溶液，其特征在于所述至少一种卤素离子源选自氯离子源和溴离子源。

14.根据权利要求1至13中的任一项所述的水性蚀刻溶液用于蚀刻铜和铜合金表面的用途。

15.一种处理铜或铜合金表面的方法，所述方法包括以下步骤

(i)提供包含至少一种铜或铜合金表面的基板；以及

(ii)使所述铜或铜合金表面的至少一部分与根据权利要求1至13中的任一项所述的水性蚀刻溶液接触。

16.根据权利要求15所述的处理铜或铜合金表面的方法，其特征在于所述包含铜或铜合金表面的基板选自铜箔、铜合金箔、印刷电路板、IC基板、插入体、铜化的半导体晶片和覆铜箔层压板。