[发明专利]忆阻阵列及用于对忆阻阵列编程的方法

权利要求书

1.一种忆阻阵列，包括：

多个忆阻器件，其中忆阻器件能在状态之间切换并且用于存储信息；以及

并联复位控制器件，并联地耦接到所述多个忆阻器件，以通过调节流过目标忆阻器件的电流来调节用于所述多个忆阻器件的复位操作，其中调节所述复位操作包括在所述目标忆阻器件接近多个中间状态中的一中间状态时减缓所述复位操作和一旦所述目标忆阻器件达到所述中间状态则停止所述复位操作，并且

其中调节所述复位操作包括在所述目标忆阻器件接近所述多个中间状态中的所述中间状态时从所述目标忆阻器件汲取电流以将所述目标忆阻器件置于所述多个中间状态中的所述中间状态中。

2.根据权利要求1所述的忆阻阵列，其中所述并联复位控制器件包括多组固定值电阻器，一组固定值电阻器被耦接到一组忆阻器件。

3.根据权利要求1所述的忆阻阵列，其中所述并联复位控制器件包括多个可变电阻晶体管，可变电阻晶体管被耦接到一组忆阻器件。

4.根据权利要求1所述的忆阻阵列，其中所述忆阻器件是多级忆阻器。

5.一种用于对忆阻阵列编程的方法，包括：

为目标忆阻器件选择目标状态，其中所述目标状态是所述目标忆阻器件从低电阻状态到高电阻状态时的多个中间状态中的一个状态；

将耦接到所述目标忆阻器件的并联复位控制器的电阻设置为与所述目标状态相对应的电阻值；

通过以下将所述目标忆阻器件的状态编程为所述目标状态：

在所述目标忆阻器件上生成电压电位；和

在所述并联复位控制器上生成电压电位，

其中，所述并联复位控制器通过调节流过所述目标忆阻器件的电流来调节用于所述忆阻阵列的复位操作，其中调节所述复位操作包括在所述目标忆阻器件接近所述多个中间状态中的所述目标状态时减缓所述复位操作和一旦所述目标忆阻器件达到所述目标状态则停止所述复位操作，并且

其中，在所述目标忆阻器件接近所述多个中间状态中的所述目标状态时从所述目标忆阻器件汲取电流，以使得所述目标忆阻器件被置于所述目标状态中。

6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述并联复位控制器的电阻设置为所述电阻值包括：激活所述并联复位控制器的一组固定值电阻器中的一个固定值电阻器。

7.根据权利要求5所述的方法，其中将所述并联复位控制器的电阻设置为所述电阻值包括：通过使到可变电阻晶体管的栅极的输入信号变化来设置所述可变电阻晶体管的电阻。

8.一种忆阻交叉开关阵列，包括：

多个行线；

多个列线，与所述行线相交以形成多个交叉点；

多个忆阻器件，在所述交叉点处耦接在所述行线和所述列线之间，其中忆阻器件能在状态之间切换以存储信息；

多个并联复位控制器，每个并联复位控制器耦接到对应的行线，以通过在目标忆阻器件的电阻达到阈值时从所述目标忆阻器件汲取电流来调节通过忆阻器件的对应行的电流，并且通过调节流过所述目标忆阻器件的电流来调节用于所述忆阻器件的对应行的复位操作，

其中调节所述复位操作包括在所述目标忆阻器件接近多个中间状态中的一中间状态时减缓所述复位操作和一旦所述目标忆阻器件达到所述中间状态则停止所述复位操作，并且

其中调节所述复位操作包括在所述目标忆阻器件接近所述多个中间状态中的所述中间状态时从所述目标忆阻器件汲取电流以将所述目标忆阻器件置于所述多个中间状态中的所述中间状态中。

9.根据权利要求8所述的忆阻交叉开关阵列，进一步包括选择晶体管，所述选择晶体管被耦接到所述忆阻器件中的每个忆阻器件，用于调节流过对应忆阻器件的电流。

10.根据权利要求8所述的忆阻交叉开关阵列，其中所述阈值是通过所述并联复位控制器强制实施的一组阈值中的一个阈值。