[发明专利]低α射线量硫酸钡颗粒以及其利用和其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680076070.2 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN108473332B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 末田学;绪方宏宣 申请(专利权)人: 堺化学工业株式会社
主分类号: C01F11/46 分类号: C01F11/46;C08K3/30;C08K9/02;C08L101/00;C09C1/00;C09C3/06;C09D11/03
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 郭煜;鲁炜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 射线 硫酸钡 颗粒 及其 利用 制造 方法
【权利要求书】:

1.低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其特征在于,对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿,

(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理;或

(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理;或

(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理;

此时,上述介质粉碎处理中,将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿,并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒,从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿,由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下、源自作为杂质而存在的硫化物的硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒。

2.根据权利要求1所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,所述破碎矿具有0.65~3.5重量%的范围的二氧化硅含量。

3.根据权利要求1所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,所述破碎矿具有0.65~1重量%的范围的二氧化硅含量。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,将所述破碎矿进行酸加热处理后,进行所述(a)、(b)或(c)的处理。

5.表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其特征在于,对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿,

(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理;或

(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理;或

(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理;

此时,上述介质粉碎处理中,将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿,并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒,从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿,由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下、源自作为杂质而存在的硫化物的硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒,

接着,对上述低α射线量硫酸钡颗粒用选自二氧化硅、二氧化硅水合物和氢氧化铝中的至少1种实施表面处理。

6.根据权利要求5所述的表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,将所述破碎矿进行酸加热处理后,进行所述(a)、(b)或(c)的处理。

7.根据权利要求5或6所述的表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,所述破碎矿具有0.65~3.5重量%的二氧化硅含量。

8.根据权利要求5或6所述的表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,所述破碎矿具有0.65~1重量%的二氧化硅含量。

9.低α射线量硫酸钡颗粒,其是通过权利要求1~4中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法得到的,该低α射线量硫酸钡颗粒的二氧化硅含量为0.6重量%以下、源自作为杂质而存在的硫化物的硫含量为10ppm以下、平均粒径为1μm以下、α射线量为0.07cph/cm2以下。

10.表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒,其是对权利要求9所述的低α射线量硫酸钡颗粒用选自二氧化硅、二氧化硅水合物和氢氧化铝中的至少1种进行表面处理而得到的。

11.树脂组合物,其包含权利要求9或10中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒。

12.涂料组合物,其包含权利要求9或10中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒。

13.抗蚀剂墨水组合物,其包含权利要求9或10中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒。

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