[发明专利]低α射线量硫酸钡颗粒以及其利用和其制造方法有效
申请号: | 201680076070.2 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN108473332B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 末田学;绪方宏宣 | 申请(专利权)人: | 堺化学工业株式会社 |
主分类号: | C01F11/46 | 分类号: | C01F11/46;C08K3/30;C08K9/02;C08L101/00;C09C1/00;C09C3/06;C09D11/03 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 郭煜;鲁炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 硫酸钡 颗粒 及其 利用 制造 方法 | ||
1.低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其特征在于,对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿,
(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理;或
(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理;或
(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理;
此时,上述介质粉碎处理中,将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿,并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒,从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿,由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下、源自作为杂质而存在的硫化物的硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒。
2.根据权利要求1所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,所述破碎矿具有0.65~3.5重量%的范围的二氧化硅含量。
3.根据权利要求1所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,所述破碎矿具有0.65~1重量%的范围的二氧化硅含量。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,将所述破碎矿进行酸加热处理后,进行所述(a)、(b)或(c)的处理。
5.表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其特征在于,对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm2 以下的破碎矿,
(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理;或
(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理;或
(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理;
此时,上述介质粉碎处理中,将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿,并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒,从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿,由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下、源自作为杂质而存在的硫化物的硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒,
接着,对上述低α射线量硫酸钡颗粒用选自二氧化硅、二氧化硅水合物和氢氧化铝中的至少1种实施表面处理。
6.根据权利要求5所述的表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,将所述破碎矿进行酸加热处理后,进行所述(a)、(b)或(c)的处理。
7.根据权利要求5或6所述的表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,所述破碎矿具有0.65~3.5重量%的二氧化硅含量。
8.根据权利要求5或6所述的表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法,其中,所述破碎矿具有0.65~1重量%的二氧化硅含量。
9.低α射线量硫酸钡颗粒,其是通过权利要求1~4中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法得到的,该低α射线量硫酸钡颗粒的二氧化硅含量为0.6重量%以下、源自作为杂质而存在的硫化物的硫含量为10ppm以下、平均粒径为1μm以下、α射线量为0.07cph/cm2以下。
10.表面处理的低α射线量硫酸钡颗粒,其是对权利要求9所述的低α射线量硫酸钡颗粒用选自二氧化硅、二氧化硅水合物和氢氧化铝中的至少1种进行表面处理而得到的。
11.树脂组合物,其包含权利要求9或10中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒。
12.涂料组合物,其包含权利要求9或10中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒。
13.抗蚀剂墨水组合物,其包含权利要求9或10中任一项所述的低α射线量硫酸钡颗粒。
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