[发明专利]低α射线量硫酸钡颗粒以及其利用和其制造方法

说明书

根据本发明，提供低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，对将重晶石原料矿石破碎而得到的平均粒径为5~50μm、α射线量为1cph/cm²以下的破碎矿，(a)按顺序进行淘洗处理和介质粉碎处理；或(b)按顺序进行介质粉碎处理和筛处理；或(c)按顺序进行淘洗处理、介质粉碎处理和筛处理；此时，上述介质粉碎处理中，将上述破碎矿粉碎至平均粒径为1μm以下的粉矿，并且通过上述淘洗处理和/或筛处理去除粗粒，从而制成二氧化硅含量为0.6重量%以下的粉矿，由此得到平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm²以下、硫含量为10ppm以下的低α射线量硫酸钡颗粒。

技术领域

本发明涉及低α射线量硫酸钡颗粒以及其利用和其制造方法。详细而言，本发明涉及平均粒径为1μm以下、二氧化硅含量为0.6重量%以下、硫含量为10ppm以下、α射线量为0.07cph/cm² 以下的低α射线量硫酸钡颗粒和其制造方法，进一步涉及这样的低α射线量硫酸钡颗粒的利用。

背景技术

随着近年的电子部件的小型化、高集成化，电子设备中的存储器芯片等误操作的半永久的损伤、所谓软错误(soft error)的问题变得显著。引起这样的软错误的原因之一是由电子部件中的无机材料中包含的U、Th、Ra等α射线源产生的α射线。例如，随着电子部件的小型化、高集成化，构成电子部件的底部填充剂层薄层化，由此即使是源自阻焊剂层的微弱α射线，也出现了对存储器芯片的电荷造成影响等问题。

硫酸钡在各种树脂组合物中作为填充剂而配合，例如被配合于在印刷配线板的抗蚀剂层中使用的抗蚀剂墨水组合物中，但为了防止上述软错误，近年来，进一步强烈要求硫酸钡的低α射线量化。

以往，作为工业用途中使用的硫酸钡，已知通过将重晶石原料矿石破碎、分级而得到的沉性硫酸钡；和，还原重晶石原料矿石，使所生成的硫化钡在水中浸出从而得到硫化钡水溶液，并对其实施例如与硫酸反应等化学合成的手段从而得到的沉淀性硫酸钡。

此外，例如，还已知使硫化钡水溶液与硫酸铵反应从而得到粒度分布窄、分散性得到改善的沉淀性硫酸钡参照(专利文献1)。但是，针对硫酸钡的低α射线量化，没有任何记载。

以硫化钡水溶液作为出发物质，对其实施化学合成的手段从而制造低α射线量的氢氧化钡、碳酸钡的方法是已知的(参照专利文献2)。

但是，近年来，针对上述氢氧化钡、碳酸钡，此外针对硫酸钡本身，也要求进一步减少α射线量，但充分低α射线量的硫酸钡迄今是未知的，此外，这样的低α射线量硫酸钡颗粒的高效率制造方法也是未知的。

进一步，近年来，强烈要求不仅硫酸钡的低α射线量化，而且要求硫含量的减少。但是，本发明中，硫酸钡中的硫含量是指源自在硫酸钡中作为杂质而存在的硫化物的硫的含量。如上述那样，沉淀性硫酸钡在合成步骤中经由硫化钡，因此含硫量高。

如上述那样，硫酸钡在各种树脂组合物中作为填充剂而配合，但硫酸钡中的硫含量高时，引发在包含这样的硫酸钡的树脂组合物中产生不期望的劣化、着色、增稠等、或者在电子部件的情况中促进电极的腐蚀的问题。

但是，以往α射线量充分低且硫含量也充分低的低α射线量硫酸钡颗粒是未知的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-50261号公报

专利文献2：日本特开平11-92139号公报。

发明内容

发明要解决的课题