[发明专利]绝缘性糊剂及其制造方法、太阳能电池元件及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘性糊剂，其用于形成太阳能电池元件的保护层，

所述绝缘性糊剂包含：硅氧烷树脂、有机溶剂、和多个填料，所述多个填料具有由含有与所述硅氧烷树脂不同的材料的有机覆膜覆盖的表面，

所述有机覆膜中含有的材料具有主链中的碳原子数为6个以上的结构、或主链中的碳原子数和硅原子数的总数为6个以上的结构。

2.根据权利要求1所述的绝缘性糊剂，其中，所述有机覆膜包含选自辛基硅烷、十二烷基以及二甲基聚硅氧烷中的至少1种。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘性糊剂，其中，实质上不含有机粘结剂。

4.根据权利要求1或2所述的绝缘性糊剂，其中还包含具有Si-O键或Si-N键的未缩聚的水解性的添加剂。

5.一种绝缘性糊剂的制造方法，具有以下步骤：

准备具有由含有与硅氧烷树脂不同的材料的有机覆膜覆盖的表面的多个填料的步骤，以及

将硅氧烷树脂的前体、水、催化剂、有机溶剂和所述多个填料混合的步骤，

所述有机覆膜中含有的材料具有主链中的碳原子数为6个以上的结构、或主链中的碳原子数和硅原子数的总数为6个以上的结构。

6.根据权利要求5所述的绝缘性糊剂的制造方法，具有以下步骤：

使所述有机溶剂、通过所述硅氧烷树脂的前体与水的反应而产生的有机成分、水以及催化剂挥发。

7.一种太阳能电池元件的制造方法，具有以下步骤：

在半导体基板上形成钝化层；

将权利要求1～4中任一项所述的绝缘性糊剂涂布于所述钝化层上；以及

使所述绝缘性糊剂干燥，从而在所述钝化层上形成保护层。

8.一种太阳能电池元件，具备：

在表面具有p型半导体区域的半导体基板；

位于所述p型半导体区域上的含有氧化铝的钝化层；以及

位于该钝化层上的含有氧化硅的保护层，

该保护层包含硅氧烷树脂和二甲基聚硅氧烷。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池元件，其中，所述二甲基聚硅氧烷用甲基进行了封端。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池元件，其中，所述保护层含有Si-OH键。

11.根据权利要求9或10所述的太阳能电池元件，其中，在所述保护层与所述钝化层之间还具备比所述保护层致密的氧化硅层。