[发明专利]绝缘性糊剂及其制造方法、太阳能电池元件及其制造方法有效
申请号: | 201680076150.8 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN108521828B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 石川信哉;芝原求己;北山贤;太田大助;小出崇志;木邨刚 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01B3/46 | 分类号: | H01B3/46;H01B19/00;H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张毅群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池元件 绝缘性 糊剂 硅氧烷树脂 钝化层 保护层 有机覆膜 有机溶剂 制造 二甲基聚硅氧烷 半导体区域 填料混合 前体 催化剂 覆盖 | ||
为了提高太阳能电池元件中的钝化层的品质,用于形成太阳能电池元件的保护层的绝缘性糊剂包含硅氧烷树脂、有机溶剂以及具有由与硅氧烷树脂不同的有机覆膜覆盖的表面的多个填料。绝缘性糊剂的制造方法具有:准备具有由与硅氧烷树脂不同的有机覆膜覆盖的表面的多个填料;和将硅氧烷树脂的前体、水、催化剂、有机溶剂以及多个填料混合。太阳能电池元件的制造方法具有:将绝缘性糊剂涂布于钝化层上;和使绝缘性糊剂干燥,从而在钝化层上形成保护层。太阳能电池元件具备:位于半导体区域上的钝化层、和位于该钝化层上且包含硅氧烷树脂和二甲基聚硅氧烷的保护层。
相关申请
本国际申请主张日本专利申请2015-254634号(2015年12月 25日申请)的优先权。该日本专利申请的公开内容被并入本国际申请。
技术领域
本公开涉以及绝缘性糊剂、绝缘性糊剂的制造方法、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池元件。
背景技术
提出了在太阳能电池元件的背面侧在半导体基板的表面上形成钝化层、并在该钝化层上设置有保护该钝化层的电介质层的 PERC(钝化发射极以及和背电极,passivatedemitter and rear cell) 型太阳能电池元件(例如,参照下述的专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-253356号公报
发明内容
用于形成太阳能电池元件的保护层的绝缘性糊剂的一个方式包含:硅氧烷树脂、有机溶剂、具有由含有与上述硅氧烷树脂不同的材料的有机覆膜覆盖的表面的多个填料,所述有机覆膜中含有的材料具有主链中的碳原子数为6个以上的结构、或主链中的碳原子数和硅原子数的总数为6个以上的结构。
绝缘性糊剂的制造方法的一个方式具有以下步骤:准备具有由含有与硅氧烷树脂不同的材料的有机覆膜覆盖的表面的多个填料;以及将硅氧烷树脂的前体、水、催化剂、有机溶剂以及上述多个填料混合,所述有机覆膜中含有的材料具有主链中的碳原子数为6个以上的结构、或主链中的碳原子数和硅原子数的总数为6个以上的结构。
太阳能电池元件的制造方法的一个方式具有以下步骤:在半导体基板上形成钝化层;将用于形成太阳能电池元件的保护层的绝缘性糊剂涂布于上述钝化层上,所述绝缘性糊剂包含:硅氧烷树脂、有机溶剂、以及具有由含有与上述硅氧烷树脂不同的材料的有机覆膜覆盖的表面的多个填料;以及使上述绝缘性糊剂干燥,从而在上述钝化层上形成保护层。
太阳能电池元件的一个方式具备:在表面具有p型半导体区域的半导体基板、位于上述p型半导体区域上的含有氧化铝的钝化层、和位于该钝化层上的含有氧化硅的保护层。该保护层包含硅氧烷树脂和二甲基聚硅氧烷。
附图说明
图1为示出一实施方式的绝缘性糊剂的制造方法的一例的流程图。
图2为示出一实施方式的太阳能电池元件的第1面侧的外观的俯视图。
图3为示出一实施方式的太阳能电池元件的第2面侧的外观的俯视图。
图4为示出沿图2以及图3的IV-IV线的太阳能电池元件的截面的截面图。
图5为例示制造一实施方式的太阳能电池元件的中途的状态的放大端面图。
图6为例示制造一实施方式的太阳能电池元件的中途的状态的放大端面图。
图7为例示制造一实施方式的太阳能电池元件的中途的状态的放大端面图。
图8为例示制造一实施方式的太阳能电池元件的中途的状态的放大端面图。
图9为例示制造一实施方式的太阳能电池元件的中途的状态的放大端面图。
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