[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

凹槽，所述凹槽被配置成在其底表面处暴露所述第一半导体层，并且由于所述发光结构被去除而在其侧表面处暴露所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层；

第一电极，所述第一电极被连接到在所述凹槽的底表面处暴露的第一半导体层；

第一绝缘图案，所述第一绝缘图案被配置成覆盖在所述凹槽的侧表面处暴露的所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层，其中其一端延伸到所述第一电极的上表面的一部分，并且其另一端延伸到所述第二半导体层的上表面的一部分，使得所述第一电极和所述第二半导体层的上表面被部分地暴露；

第一反射层，所述第一反射层被布置在暴露的第二半导体层上；

第二反射层，所述第二反射层被配置成暴露所述第一反射层和所述第一电极；

第二电极，所述第二电极被布置在由所述第二反射层暴露的第二半导体层上；

第二绝缘图案，所述第二绝缘图案被配置成覆盖所述第一反射层并且暴露所述第一反射层和所述第一电极；以及

透明电极层，所述透明电极层被布置在所述第一反射层和所述第二半导体层之间，

其中，所述第二反射层被布置在所述第二绝缘图案上，

其中，所述第二绝缘图案的边缘与延伸到所述第一电极的上部的所述第一绝缘图案的边缘匹配，

其中，所述透明电极层被形成为完全覆盖由所述第一绝缘图案所暴露的所述第二半导体层，以及

其中，所述透明电极层的边缘被形成在所述第一绝缘图案上并且被形成为重叠所述第一绝缘图案。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极底部侧边缘与所述凹槽底部侧边缘之间的距离至少为0.05μm。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一绝缘图案的一端与所述第一电极的上表面之间的重叠距离小于15μm。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述透明电极层的一端延伸至所述第一绝缘图案的上表面。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述透明电极层与所述第一绝缘图案之间的重叠距离在2μm至5μm的范围中。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一反射层的边缘与所述凹槽的边缘之间的距离在10μm至15μm的范围中。

7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二反射层被布置在所述第一绝缘图案和所述第一反射层的上部上。

8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二反射层覆盖延伸到所述第一电极的上部的所述第一绝缘图案的边缘。

9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极被布置在所述底表面上。

10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一绝缘图案覆盖所述凹槽的侧表面。

11.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一反射层被布置在所述第二电极与所述第二半导体层之间。

12.根据权利要求1所述的发光元件，还包括第一接合焊盘，所述第一接合焊盘被连接到由所述第二反射层暴露的第一电极；以及

第二接合焊盘，所述第二接合焊盘被连接到由所述第二反射层暴露的第二电极。

13.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二绝缘图案接触所述第一绝缘图案和所述第一反射层。