[发明专利]发光元件

说明书

实施例涉及一种发光元件，该发光元件能够通过增加在第一电极和第一半导体层之间的接触面积使电流容易地扩展并且改进驱动电压，并且包括：发光结构，其包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；凹槽，其通过底表面暴露第二半导体层并且并且通过去除发光结构经由侧表面暴露第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一电极，其被连接到在凹槽的底表面处暴露的第一半导体层；第一绝缘图案，其覆盖通过凹槽的侧表面暴露的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一绝缘图案具有的一端延伸到第一电极的上表面的一部分，并且具有的另一端延伸到第二半导体层的上表面的一部分，使得第一电极的上表面和第二半导体层的上表面被部分地暴露；第一反射层，其被布置在暴露的第二半导体层上；第二反射层，其用于暴露第二半导体层和第一电极；以及第二电极，其被布置在由第二反射层暴露的第二半导体层上。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种其中电流扩展和驱动电压被改进的发光元件。

背景技术

发光二极管(LED)是被配置成当施加电流时发射光的一个发光元件。因为LED可以使用低电压发射高效的光，所以LED具有优异的节能效果。近来，LED的亮度问题已经被大大地改进，并且因此，LED已经被应用于各种装置，诸如液晶显示器的背光单元、电子标识牌、指示器和家用电器。

LED可以具有其中第一电极和第二电极设置在包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构的一侧处的结构。

在垂直LED的情况下，第一电极可以通过穿过第一半导体层、有源层和第二半导体层的凹槽被电连接到第一半导体层。为了防止连接到第一电极的第一接合焊盘(稍后将描述)与暴露在凹槽中的有源层和第二半导体层相连接，一般的垂直LED还包括第一绝缘图案，该第一绝缘图案被配置成覆盖凹槽中暴露的有源层和第二半导体层。

与第二电极和第二半导体层之间的接触面积相比，第一电极和第一半导体层之间的接触面积非常小。结果，在第一电极和第一半导体层之间的接触区域中出现电流拥挤现象。因此，在第一电极周围产生的热量增加，并且同时，驱动电压也增加。

为了增加第一电极和第一半导体层之间的接触面积，存在使第一电极和绝缘图案之间的距离变窄的方法，或者存在宽广地形成第一电极的方法。然而，当第一电极和第一绝缘图案彼此太靠近时，可能减少要形成在绝缘图案上的反射层的反射效率。另外，由于第一电极和第一绝缘图案的工艺余量，第一电极可能完全覆盖第一绝缘图案。此外，当形成具有宽底表面的凹槽以宽广地形成第一电极时，发光结构的有源层的面积减小。因此，发光效率可能会降低。

即，因为一般发光元件在扩大第一电极的宽度方面具有限制，因此难以增加第一电极与第一半导体层之间的接触面积。

技术方案

本发明涉及提供一种发光元件，其能够在不增加凹槽的尺寸的情况下通过增加第一电极和第一半导体层之间的连接面积来有助于电流扩展并且改进驱动电压。

根据本发明的示例性实施例的发光元件包括：发光结构，该发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；凹槽，该凹槽被配置成将第一半导体层暴露在其底表面处，并且由于发光结构被去除而在其侧表面处暴露第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一电极，该第一电极被连接到在凹槽的底表面处暴露的第一半导体层；第一绝缘图案，该第一绝缘图案被配置成覆盖暴露在凹槽的侧表面处的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中其一端延伸到第一电极的上表面的一部分，并且其另一端延伸到第二半导体层的上表面的一部分，使得第一电极和第二半导体层的上表面被部分地暴露；第一反射层，该第一反射层被布置在暴露的第二半导体层上；第二反射层，该第二反射层被配置成暴露第二半导体层和第一电极；以及第二电极，该第二电极被布置在由第二反射层暴露的第二半导体层上。