[发明专利]缓冲电路及半导体装置有效
| 申请号： | 201680077489.X | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN108476018B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 吉田健太郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/00 | 分类号： | H03K17/00;H03K17/567;H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲 电路 半导体 装置 | ||
1.一种缓冲电路，其连接于输入端子和半导体开关元件的栅极之间，
该缓冲电路具有：
NPN晶体管及PNP晶体管，它们形成互补单端推挽电路；
第1电阻，其连接于所述栅极和所述NPN晶体管的发射极之间；
第2电阻，其连接于所述栅极和所述PNP晶体管的发射极之间；
第1负载元件，其一端直接连接在所述第1电阻的与所述栅极连接的一端和所述栅极之间，另一端与所述NPN晶体管的基极连接；
第2负载元件，其一端直接连接在所述第2电阻的与所述栅极连接的一端和所述栅极之间，另一端与所述PNP晶体管的基极连接；
第3电阻，其连接于所述输入端子和所述NPN晶体管的所述基极之间；以及
第4电阻，其连接于所述输入端子和所述PNP晶体管的所述基极之间。
2.根据权利要求1所述的缓冲电路，其中，
还具有第5电阻，该第5电阻连接于所述输入端子和所述栅极之间。
3.根据权利要求1所述的缓冲电路，其中，
所述第1负载元件及所述第2负载元件各自包含二极管。
4.根据权利要求1所述的缓冲电路，其中，
所述第1负载元件及所述第2负载元件各自包含电阻。
5.根据权利要求1所述的缓冲电路，其中，
所述第1负载元件及所述第2负载元件各自包含电容器。
6.一种半导体装置，其具有：
权利要求1至5中任一项记载的缓冲电路；
所述输入端子；以及
所述半导体开关元件。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
所述半导体开关元件由宽带隙半导体构成。
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