[发明专利]缓冲电路及半导体装置

说明书

目的在于提供能够使互补SEPP电路稳定地动作的技术。具有：NPN晶体管(Q1)及PNP晶体管(Q2)，它们形成互补SEPP电路；第1电阻及第2电阻；第1负载元件，其一端与半导体开关元件(3)的栅极连接，另一端与NPN晶体管(Q1)的基极连接；以及第2负载元件，其一端与半导体开关元件(3)的栅极连接，另一端与PNP晶体管(Q2)的基极连接。

技术领域

本发明涉及用于对半导体开关元件的导通及截止时的通断速度进行控制的缓冲电路及具有该缓冲电路的半导体装置。

背景技术

在半导体开关元件导通时，例如由恢复电流引起的辐射噪声及导通损耗成为问题，相反地在截止时，例如由浪涌电压引起的过电压及截止损耗成为问题。如上所述，在半导体开关元件的通断驱动中，在导通和截止时举动不同，因此要求各自的通断速度(以下，记作“SW速度”)不同。

为了对导通及截止的SW速度单独地进行控制，提出了具有互补单端推挽(SingleEnded Push Pull)(以下，简记为“互补SEPP”)电路的缓冲电路(例如专利文献1)。此外，根据专利文献1的技术，能够对形成互补SEPP电路的NPN晶体管及PNP晶体管的反向电压进行抑制，其结果，能够使互补SEPP电路稳定地动作。

专利文献1：日本特开2010－130557号公报

发明内容

但是，关于使互补SEPP电路稳定地动作这一点，存在改善的余地。

因此，本发明就是鉴于上述这样的问题而提出的，其目的在于，提供能够使互补SEPP电路稳定地动作的技术。

本发明所涉及的缓冲电路连接于输入端子和半导体开关元件的栅极之间，该缓冲电路具有：NPN晶体管及PNP晶体管，它们形成互补单端推挽(Single Ended Push Pull)电路；第1电阻，其连接于所述栅极和所述NPN晶体管的发射极之间；第2电阻，其连接于所述栅极和所述PNP晶体管的发射极之间；第1负载元件，其一端与所述栅极连接，另一端与所述NPN晶体管的基极连接；第2负载元件，其一端与所述栅极连接，另一端与所述PNP晶体管的基极连接；第3电阻，其连接于所述输入端子和所述NPN晶体管的所述基极之间；以及第4电阻，其连接于所述输入端子和所述PNP晶体管的所述基极之间。

发明的效果

根据本发明，能够对向NPN晶体管及PNP晶体管各自的基极－发射极间施加的反向电压进行抑制，因此能够实现互补SEPP电路的动作的稳定化。

本发明的目的、特征、方式及优点通过以下的详细说明和附图而变得更加明了。

附图说明

图1是表示第1相关半导体装置的结构的电路图。

图2是表示第1相关半导体装置的仿真结果的图。

图3是表示第1相关半导体装置的仿真结果的图。

图4是表示第2相关半导体装置的结构的电路图。

图5是表示第2相关半导体装置的仿真结果的图。

图6是表示第2相关半导体装置的仿真结果的图。

图7是表示实施方式1所涉及的半导体装置的结构的电路图。

图8是表示实施方式1所涉及的半导体装置的仿真结果的图。

图9是表示实施方式1所涉及的半导体装置的仿真结果的图。

图10是表示实施方式2所涉及的半导体装置的结构的电路图。

图11是表示实施方式2所涉及的半导体装置的仿真结果的图。

图12是表示实施方式2所涉及的半导体装置的仿真结果的图。