[发明专利]老化传感器及假冒集成电路检测

权利要求书

1.一种芯片，包括：

芯片老化传感器；以及

反熔丝存储器块，其包含对所述芯片唯一的静态信息。

2.根据权利要求1所述的芯片，其中所述芯片老化传感器包含短期老化传感器和单独的长期老化传感器两者。

3.根据权利要求2所述的芯片，其中所述短期老化传感器包含环形振荡器老化传感器。

4.根据权利要求2所述的芯片，其中所述长期老化传感器包含电子迁移老化传感器。

5.根据权利要求4所述的芯片，其中所述电子迁移老化传感器包含：

并联的多个导体，每个导体具有一定长度，其中所述多个导体被配置成在所述芯片的操作过程中经受电应力；

参考导体，其还具有所述长度；以及

测试电路，其用于在一段时间之后将所述参考导体与所述多个导体进行比较，并且用于检测所述多个导体与所述参考导体之间的平均电差，所述参考导体与随时间变化的电应力的量相关。

6.根据权利要求1所述的芯片，其中所述反熔丝存储器块包含唯一芯片识别代码。

7.根据权利要求1所述的芯片，其中所述反熔丝存储器块包含激活时间戳。

8.根据权利要求1所述的芯片，其中所述反熔丝存储器块包含所述芯片老化传感器的初始电子特性。

9.一种方法，包含：

在制造设施处在芯片上形成芯片老化传感器；

在所述制造设施处在所述芯片上形成反熔丝存储器块；以及

在顾客设施处激活所述芯片，其中激活所述芯片包含在所述顾客设施处将对所述芯片唯一的静态信息存储在所述反熔丝存储器中。

10.根据权利要求9所述的方法，其中激活所述芯片进一步包含将对所述芯片唯一的所述静态信息存储在顾客数据库中。

11.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述芯片老化传感器包含形成具有短期老化传感器和单独的长期老化传感器两者的芯片老化传感器。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述短期老化传感器包含形成环形振荡器老化传感器。

13.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述长期老化传感器包含形成电子迁移老化传感器。

14.根据权利要求9所述的方法，其中激活所述芯片包含将唯一芯片识别代码存储在所述反熔丝存储器块中。

15.根据权利要求9所述的方法，其中激活所述芯片包含将激活时间戳存储在所述反熔丝存储器块中。

16.根据权利要求9所述的方法，其中激活所述芯片包含将所述芯片老化传感器的初始电子特性存储在所述反熔丝存储器块中。