[发明专利]老化传感器及假冒集成电路检测

说明书

示出了一种片上老化传感器以及用于检测假冒集成电路的相关联的方法。在一个实例中，所述片上老化传感器被集成在芯片内。在一个实例中，所述片上传感器包含片上老化传感器和反熔丝存储器块两者，所述反熔丝存储器块包含对所述芯片唯一的静态信息。

相关申请

本申请要求于2015年10月29日提交的题为“EM-BASED ON-CHIP AGING SENSORFOR DETECTION AND PREVENTION OF RECYCLED ICS(用于检测和防止回收IC(IntegratedCircuit)的基于EM(Electromigration)的片上传感器)”的美国临时专利申请号62/248,145的优先权，所述专利申请通过援引以其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及集成电路片上老化感测系统和假冒集成电路检测方法。

背景技术

期望得到改进的集成电路片上老化感测系统和假冒集成电路检测方法。

附图说明

图1示出了根据本发明的实例的互连导线的EM诱发应力发展和分布。

图2示出了根据本发明的实例的老化传感器的平行多导线结构及其受压状况。

图3示出了根据本发明的实例的基于EM的老化传感器的结构。

图4示出了根据本发明的实例的对不同导线数量和变体的并联连接受压导线的统计研究。

图5示出了根据本发明的实例的使用以下各项对受压导线进行的统计寿命检测：(a)使用不变的6条导线；(b)使用变化数量的导线(6条导线使用1年，10条导线使用6年，并且14条导线使用10年)。

图6示出了根据本发明的实例的导线的长度对EM寿命数据。

图7示出了根据本发明的实例的应力导线的功耗对导线长度和电流密度数据。

图8示出了根据本发明的实例的(a)ADC的统计电压输入以及(b)统计ADC输出数据。

图9示出了根据本发明的实例的所检测传感器导线寿命的统计分布。

图10示出了根据本发明的实例的芯片传感器的架构。

图11示出了根据本发明的实例的RO(Ring Oscillator)老化传感器的结构。

图12示出了根据本发明的实例的5级RO的频率下降。

图13示出了根据本发明的实例的EM老化传感器的结构。

图14示出了根据本发明的实例的电子部件供应链和漏洞。

图15示出了根据本发明的实例的具有制造后认证的所提出供应链。

图16示出了根据本发明的实例的制造后认证的流程图。

图17示出了根据本发明的实例的用于假冒IC的综合检测方法的流程图。

图18示出了根据本发明的实例的工艺变化对频率扩展和回收IC检测概率的影响的数据。

图19示出了根据本发明的实例的对不同导线数量的受压导线组的统计研究。

图20示出了根据本发明的实例的(a)导线的长度对EM寿命以及(b)应力导线的功耗对导线长度和电流密度。

图21示出了根据本发明的实例的长周期时间内的基于RO的老化传感器错误率数据。

具体实施方式