[发明专利]散热板构造体、半导体装置以及散热板构造体的制造方法

权利要求书

1.一种散热板构造体，其具有：

散热板；以及

阻焊层，其形成于所述散热板的主面之上，具有大于或等于1个开口部，

所述阻焊层由PI、PA、PP、PPS中的任意者形成，其中，PI为聚酰亚胺、PA为聚酰胺、PP为聚丙烯、PPS为聚苯硫醚。

2.根据权利要求1所述的散热板构造体，其中，

所述阻焊层的厚度大于或等于10μm。

3.一种散热板构造体，其具有：

散热板；以及

阻焊层，其形成于所述散热板的主面之上，具有大于或等于1个开口部，

所述阻焊层由含有陶瓷颗粒的树脂形成。

4.根据权利要求3所述的散热板构造体，其中，

所述陶瓷是氮化铝(AlN)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化铝(Al₂O₃)中的任意大于或等于1者。

5.根据权利要求3所述的散热板构造体，其中，

所述树脂是PP或PPS，其中，PP为聚丙烯，PPS为聚苯硫醚。

6.一种散热板构造体，其具有：

散热板；以及

阻焊层，其形成于所述散热板的主面之上，具有大于或等于1个开口部，

所述阻焊层由熔点大于或等于400℃的高熔点绝缘体形成。

7.根据权利要求6所述的散热板构造体，其中，

所述高熔点绝缘体是玻璃。

8.一种半导体装置，其具有：

散热板；

阻焊层，其形成于所述散热板的主面之上，具有大于或等于1个开口部；

绝缘基板，其在所述阻焊层的所述开口部内，通过焊料而接合于所述散热板；以及

半导体元件，其搭载于所述绝缘基板，

所述阻焊层的厚度比对所述散热板和所述绝缘基板进行接合的焊料的厚度厚。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述阻焊层由PP或PPS形成，其中，PP为聚丙烯，PPS为聚苯硫醚。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述阻焊层由含有陶瓷颗粒的树脂形成。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

所述陶瓷是氮化铝(AlN)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化铝(Al₂O₃)中的任意大于或等于1者。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

所述树脂是PP或PPS，其中，PP为聚丙烯，PPS为聚苯硫醚。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述阻焊层由熔点大于或等于400℃的高熔点绝缘体形成。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

所述高熔点绝缘体是玻璃。

15.一种散热板构造体的制造方法，其中，

准备散热板，

准备具有大于或等于1个开口部的片状的阻焊层即阻焊片，

通过使阻焊片粘接于散热板的主面之上，从而在所述散热板的主面形成阻焊层。

16.根据权利要求15所述的散热板构造体的制造方法，其中，所述阻焊片由PP或PPS形成，其中，PP为聚丙烯，PPS为聚苯硫醚。