[发明专利]散热板构造体、半导体装置以及散热板构造体的制造方法在审

专利信息
申请号: 201680078407.3 申请日: 2016-01-14
公开(公告)号: CN108463879A 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 林田幸昌;盐田裕基 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H05K1/02
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 散热板 构造体 阻焊层 聚丙烯 绝缘体 熔点 半导体装置 聚苯硫醚 聚酰亚胺 氮化硅 氮化铝 聚酰胺 开口部 氧化铝 树脂 等高 主面 陶瓷 玻璃 制造
【说明书】:

散热板构造体具有:散热板(10);以及阻焊层(11),其形成于该散热板(10)的主面之上,具有大于或等于1个开口部。阻焊层(11)由PI(聚酰亚胺)、PA(聚酰胺)、PP(聚丙烯)、PPS(聚苯硫醚)、含有陶瓷(氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)等)颗粒的树脂、玻璃等高熔点绝缘体中的任意者形成。

技术领域

本发明涉及半导体装置用的散热板以及使用该散热板制造的半导体装置。

背景技术

通常已知如下构造的半导体装置,即,搭载有半导体元件的绝缘基板配置于散热板之上(例如,专利文献1、2)。另外,在散热板和绝缘基板的接合时使用焊料的情况下,为了使在回流焊工序中熔融的焊料留在规定位置,有时预先在散热板的表面形成阻焊层的图案。作为阻焊层的材料,通常是酚醛类树脂、环氧类树脂等。

专利文献1:日本特开2006-278558号公报

专利文献2:日本特开2008-205100号公报

发明内容

从半导体装置的高耐压化的观点出发,期望设置于散热板的阻焊层具有高绝缘性。因此,优选阻焊层的厚度厚。以往的由酚醛类树脂、环氧类树脂构成的阻焊层的厚度的极限是5~10μm左右。

另外,近年来,为了确保在高温环境中使用时的可靠性,存在将熔点高的焊料用于半导体装置的制造的倾向。与此相伴,半导体装置的制造中的回流焊的温度、可靠性试验的温度也高温化,要求阻焊层具有高耐热性。如果阻焊层的耐热性不充分,则阻焊层从散热板剥离,熔融的焊料不会留在规定位置,产生绝缘基板相对于散热板的错位,组装变得困难。另外,由于阻焊层从散热板剥离,从而还产生半导体装置的耐压性能下降的问题。

本发明就是为了解决如上所述的课题而提出的,目的在于针对将阻焊层设置于散热板而成的散热板构造体,通过提高阻焊层的绝缘性以及耐热性,从而实现半导体装置的可靠性的提高。

本发明的第1技术方案涉及的散热板构造体具有:散热板;以及阻焊层,其形成于所述散热板的主面之上,具有大于或等于1个开口部,所述阻焊层由PI(聚酰亚胺)、PA(聚酰胺)、PP(聚丙烯)、PPS(聚苯硫醚)中的任意者形成。

本发明的第2技术方案涉及的散热板构造体具有:散热板;以及阻焊层,其形成于所述散热板的主面之上,具有大于或等于1个开口部,所述阻焊层由含有陶瓷颗粒的树脂形成。

本发明的第3技术方案涉及的散热板构造体具有:散热板;以及阻焊层,其形成于所述散热板的主面之上,具有大于或等于1个开口部,所述阻焊层由熔点大于或等于400℃的高熔点绝缘体形成。

发明的效果

根据本发明,能够提高在半导体装置的散热板设置的阻焊层的绝缘性以及耐热性,能够有助于半导体装置的可靠性的提高。

本发明的目的、特征、技术方案以及优点通过以下的详细说明和附图而变得更为明确。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的散热板构造体的构造的图。

图2是用于说明实施方式1涉及的散热板构造体的制造方法的图。

图3是用于说明实施方式1涉及的散热板构造体的制造方法的图。

图4是实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。

图5是实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。

图6是用于说明实施方式2涉及的散热板构造体的制造方法的图。

图7是用于说明实施方式2涉及的散热板构造体的制造方法的图。

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