[发明专利]在基板上形成电路的方法有效

专利信息
申请号: 201680078732.X 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN108463576B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 佐土原大祐;西川贤一;铃木启太;伊部公太;下田胜己 申请(专利权)人: 株式会社杰希优
主分类号: H01L21/288 分类号: H01L21/288
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基板上 形成 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种在基板上形成电路的方法,其特征在于,包括如下工序:

通过镀敷在基板上进行电路的形成时,在基板上施加含有硅低聚物和催化剂金属的涂布覆膜后,仅在形成电路的部位照射选自波长450nm以下的可见光和紫外线的光,以此进行涂布覆膜中的催化剂金属的活化处理而使该催化剂金属表现出自催化性,接下来进行无电解镀敷,

含有硅低聚物和催化剂金属的涂布覆膜由含催化剂金属硅低聚物形成,所述含催化剂金属硅低聚物是通过使四烷氧基硅烷与至少在n、n+1位或n、n+2位键合有羟基的多元醇在催化剂金属的存在下发生缩合反应而得到,其中,n为1以上的整数,

所述至少在n、n+1位或n、n+2位键合有羟基的多元醇为选自乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、1,2-戊二醇、1,3-戊二醇、2,3-戊二醇、2,4-戊二醇、甘油、赤藓醇中的1种或者2种以上的多元醇。

2.根据权利要求1所述的在基板上形成电路的方法,其中,在进行无电解镀敷后,进行以下的工序(a1)~(e1):

(a1)在未形成电路的部位设置干膜的工序、

(b1)对形成电路的部位进行电解镀敷的工序、

(c1)去除干膜的工序、

(d1)将未形成电路的部位的无电解镀层去除的工序、

(e1)将未形成电路的部位的涂布覆膜去除的工序。

3.根据权利要求1所述的在基板上形成电路的方法,其中,在进行无电解镀敷后,进行以下的工序(a2)~(e2):

(a2)进行电解镀敷的工序、

(b2)在形成电路的部位设置干膜的工序、

(c2)将未形成电路的部位的无电解镀层和电解镀层去除的工序、

(d2)将未形成电路的部位的涂布覆膜去除的工序、

(e2)去除干膜的工序。

4.根据权利要求1所述的在基板上形成电路的方法,其中,不对缩合反应时生成的醇进行分馏。

5.根据权利要求1所述的在基板上形成电路的方法,其中,四烷氧基硅烷为选自四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷和四丁氧基硅烷中的1种或2种以上。

6.根据权利要求1所述的在基板上形成电路的方法,其中,至少在n、n+1位或n、n+2位键合有羟基的多元醇为乙二醇和/或1,3-丙二醇,其中,n为1以上的整数。

7.根据权利要求1所述的在基板上形成电路的方法,其中,催化剂金属为选自铁、镍、钴、铜和钯中的1种或2种以上。

8.根据权利要求1~3中任一项所述的在基板上形成电路的方法,其中,基板为树脂或玻璃。

9.根据权利要求8所述的在基板上形成电路的方法,其中,基板是通过向树脂中添加选自无机氧化物、无机氮化物和无机硫化物中的1种或2种以上填料而得到。

10.根据权利要求8所述的在基板上形成电路的方法,其中,树脂为选自ABS、聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、环氧系树脂、酚系树脂和氨基甲酸酯系树脂中的1种或2种以上。

11.根据权利要求9所述的在基板上形成电路的方法,其中,树脂为选自ABS、聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、环氧系树脂、酚系树脂和氨基甲酸酯系树脂中的1种或2种以上。

12.一种电路,其特征在于,通过权利要求1~11中任一项所述的在基板上形成电路的方法而得到并依次层叠有基板、含有硅低聚物和催化剂金属的涂布覆膜、无电解镀层、电解镀层。

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