[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基板；

多个半导体芯片，它们固定于所述基板；

绝缘板，其形成有贯穿孔；

第1下部导体，其具有下部主体和下部凸出部，该下部主体形成于所述绝缘板的下表面，与所述多个半导体芯片中的任意者焊接，该下部凸出部与所述下部主体相连，在俯视观察时该下部凸出部延伸至所述绝缘板之外；

第2下部导体，其形成于所述绝缘板的下表面，与所述多个半导体芯片中的任意者焊接；

上部导体，其具有上部主体和上部凸出部，该上部主体形成于所述绝缘板的上表面，该上部凸出部与所述上部主体相连，在俯视观察时该上部凸出部延伸至所述绝缘板之外；

连接部，其设置于所述贯穿孔，将所述上部主体和所述第2下部导体连接；

第1外部电极，其与所述下部凸出部连接；以及

第2外部电极，其与所述上部凸出部连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个半导体芯片具有晶体管芯片，

所述下部主体或所述第2下部导体与所述晶体管芯片的集电极或发射极电连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

通过将所述下部凸出部或所述上部凸出部弯曲，从而使所述下部凸出部与所述第1外部电极的连接位置的高度和所述上部凸出部与所述第2外部电极的连接位置的高度一致。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个半导体芯片具有晶体管芯片，

所述下部主体和所述上部主体在俯视观察时具有重叠的部分，从而所述晶体管芯片的集电极电流和发射极电流在俯视观察时流向相反方向。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个半导体芯片具有晶体管芯片，

所述下部主体和所述上部主体在俯视观察时具有重叠的部分，从而所述晶体管芯片的集电极电流和发射极电流在俯视观察时流向相反方向。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1下部导体或所述第2下部导体的厚度是不均匀的。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

将所述半导体芯片和所述下部主体接合的焊料设置为与所述半导体芯片接触的面积大于与所述下部主体接触的面积，

将所述半导体芯片和所述第2下部导体接合的焊料设置为与所述半导体芯片接触的面积大于与所述第2下部导体接触的面积。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在将所述半导体芯片和所述下部主体接合的焊料的一部分的正上方不具有所述下部主体、所述绝缘板以及所述上部导体。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在将所述半导体芯片和所述第2下部导体接合的焊料的一部分的正上方不具有所述第2下部导体、所述绝缘板以及所述上部导体。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述连接部是将金属部件压接而形成的。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属部件设置为不将所述贯穿孔填埋，

该半导体装置具有与所述金属部件接触，将所述贯穿孔填埋的填埋金属，

所述填埋金属向所述半导体芯片的方向凸出。

12.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

具有树脂，该树脂将所述绝缘板、所述第1下部导体、所述第2下部导体、所述上部导体以及所述多个半导体芯片覆盖，使所述第1外部电极和所述第2外部电极的一部分露出至外部，

在所述绝缘板设置有由所述树脂进行了填埋的填埋孔。