[发明专利]半导体装置

说明书

具有：基板；多个半导体芯片，它们固定于该基板；绝缘板，其形成有贯穿孔；第1下部导体，其具有下部主体和下部凸出部，该下部主体形成于该绝缘板的下表面，与该多个半导体芯片中的任意者焊接，该下部凸出部与该下部主体相连，在俯视观察时该下部凸出部延伸至该绝缘板之外；第2下部导体，其形成于该绝缘板的下表面，与该多个半导体芯片中的任意者焊接；上部导体，其具有上部主体和上部凸出部，该上部主体形成于该绝缘板的上表面，该上部凸出部与该上部主体相连，在俯视观察时该上部凸出部延伸至该绝缘板之外；连接部，其设置于该贯穿孔，将该上部主体和该第2下部导体连接；第1外部电极，其与该下部凸出部连接；以及第2外部电极，其与该上部凸出部连接。

技术领域

本发明涉及例如用于大电流的控制的半导体装置。

背景技术

例如有搭载IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等，用于大电流的控制的半导体装置。如果上述半导体装置的内部配线使用了铝导线等配线材料，则无法充分地确保功率循环等的接合可靠性。

在专利文献1中公开了如下内容，即，将元件与基板焊接，将引线端子直接与该元件焊接。该引线端子是延伸至装置的外部的外部电极。

专利文献1：日本特开2015-162649号公报

发明内容

露出至半导体装置外部的电极即外部电极多数情况是通过模具等将1张金属板冲裁而形成的。如果将上述外部电极与半导体芯片焊接，则会产生各种弊病。例如，与半导体芯片接合的多个外部电极构成2维的配线，因此配线的自由度低，半导体装置的外形尺寸变大。

另外，在同时将多个外部电极与半导体芯片焊接的情况下，难以使多个外部电极的高度恒定。如果多个外部电极的高度变得不均匀，则焊料厚度不一致，因此必须增大焊料厚度的裕度。

另外，如果将与流过小电流的信号电路部相连的外部电极和与流过大电流的主电路部相连的外部电极设为相同的电极，则与信号电路部相连的外部电极在电流容量方面变得超规格(over spec)。在该情况下，在半导体装置的外形尺寸变大的基础上，还会产生不必要的成本。

另外，外部电极为了确保一定程度的强度，形成得较厚。将上述外部电极精度良好地焊接至半导体芯片的信号焊盘等窄面积部位并非是容易的。因此，存在不得不为了增大信号焊盘面积而增大半导体芯片的尺寸的问题。

另外，在壳体变形、或者对焊料进行接合时波及至外部电极的应力会直接影响到与半导体芯片接触的焊料。为了不使大的力波及至焊料，需要缩短外部电极的长度。

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供能够防止通过将外部电极与半导体芯片焊接而产生的弊病的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：基板；多个半导体芯片，它们固定于该基板；绝缘板，其形成有贯穿孔；第1下部导体，其具有下部主体和下部凸出部，该下部主体形成于该绝缘板的下表面，与该多个半导体芯片中的任意者焊接，该下部凸出部与该下部主体相连，在俯视观察时该下部凸出部延伸至该绝缘板之外；第2下部导体，其形成于该绝缘板的下表面，与该多个半导体芯片中的任意者焊接；上部导体，其具有上部主体和上部凸出部，该上部主体形成于该绝缘板的上表面，该上部凸出部与该上部主体相连，在俯视观察时该上部凸出部延伸至该绝缘板之外；连接部，其设置于该贯穿孔，将该上部主体和该第2下部导体连接；第1外部电极，其与该下部凸出部连接；以及第2外部电极，其与该上部凸出部连接。

本发明的其他特征在下面得以明确。

发明的效果

根据本发明，通过在半导体芯片之上设置的中继基板，能够实现立体的配线，因此能够防止通过将外部电极与半导体芯片焊接而产生的弊病。

附图说明

图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。