[发明专利]传输门的布局及相关系统和技术

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

多个传输门，设置在一列中，所述多个传输门包括第一传输门和第二传输门，所述第一传输门包括第一控制端子和第二控制端子，所述第二传输门包括第一控制端子和第二控制端子；

一条或多条第一金属引线，沿与所述列基本正交的方向在所述第一传输门和所述第二传输门之间延伸，所述一条或多条第一金属引线包括耦合到所述第一传输门的第一控制端子和所述第二传输门的第一控制端子的第一控制引线；

一条或多条第二金属引线，沿与所述列基本正交的方向在所述第一传输门和所述第二传输门上方延伸，所述一条或多条第二金属引线包括耦合到所述第一传输门的第二控制端子的第二控制引线；以及

一条或多条第三金属引线，沿与所述列基本正交的方向在所述第一传输门和所述第二传输门下方延伸，所述一条或多条第三金属引线包括耦合到所述第二传输门的第二控制端子的第三控制引线。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述多个传输门还包括第三传输门，其中，所述第三传输门包括第一控制端子和第二控制端子，并且其中，所述第二控制引线在所述第一传输门和所述第三传输门之间延伸并且耦合到所述第三传输门的第二控制端子。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述多个传输门还包括第四传输门，其中，所述第四传输门包括第一控制端子和第二控制端子，并且其中，所述第三控制引线在所述第二传输门和所述第四传输门之间延伸并且耦合到所述第四传输门的第二控制端子。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述一条或多条第一金属引线还包括经耦合以提供第一电源电压的第一电源引线，其中，所述一条或多条第二金属引线还包括经耦合以提供第二电源电压的第二电源引线，并且其中，所述一条或多条第三金属引线还包括经耦合以提供所述第二电源电压的第三电源引线。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，传输门的列是第一列，所述集成电路还包括设置在靠近所述第一列的第二列中的多个锁存电路，所述多个锁存电路包括第一锁存电路和第二锁存电路，所述第一锁存电路的数据输入端子耦合到所述第一传输门的数据端子，所述第二锁存电路的数据输入端子耦合到所述第二传输门的数据端子。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述第一锁存电路的相应电源端子耦合到所述第一电源引线和所述第二电源引线。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述第二锁存电路的相应电源端子耦合到所述第一电源引线和所述第三电源引线。

8.根据权利要求5所述的集成电路，包括多个触发器，所述多个触发器包括第一触发器和第二触发器，所述第一触发器包括所述第一传输门和第一锁存器，所述第二触发器包括所述第二传输门和第二锁存器。

9.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述一条或多条第一金属引线还包括第一使能引线，所述第一使能引线耦合到所述第一锁存电路的第一使能端子、所述第二锁存电路的第一使能端子以及所述第二控制引线和所述第三控制引线，其中，所述一条或多条第二金属引线还包括第二使能引线，所述第二使能引线耦合到所述第一锁存电路的第二使能端子，并且其中，所述一条或多条第三金属引线还包括第三使能引线，所述第三使能引线耦合到所述第二锁存电路的第二使能端子、所述第二使能引线和所述第一控制引线。

10.根据权利要求9所述的集成电路，还包括单元，所述单元包括所述多个传输门、所述第一锁存电路和第二锁存电路以及所述第一金属引线、第二金属引线和第三金属引线，其中，所述单元的高度在750nm和850nm之间。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一传输门包括第一n型场效应晶体管NFET和第一p型场效应晶体管PFET，并且其中，所述第二传输门包括第二NFET和第二PFET。