[发明专利]SAPO-34的合成以及在氯甲烷制烯烃反应中的应用

权利要求书

1.一种用于制备磷酸硅铝(SAPO)-34分子筛的方法，所述方法包括：

(a)获得包含水、硅源、铝源、磷源和模板剂的含水混合物；

(b)干燥所述混合物以获得经干燥的材料，所述材料包含负载模板剂的SAPO-34前体材料；

(c)使所述经干燥的材料与水接触并使所述材料经受结晶条件，以获得负载模板剂的SAPO-34结晶材料；和

(d)从所述结晶材料中除去所述模板剂以获得SAPO-34分子筛。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(c)包括将所述经干燥的材料悬浮在水溶液中以形成悬浮液，并使所述悬浮液在自生压力下经历180℃至210℃的温度12小时至36小时，以获得所述负载模板剂的SAPO-34结晶材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(c)包括使经干燥的材料与水蒸气或蒸汽接触，并使所述材料在自生压力下经历180℃至210℃的温度12小时至36小时，以获得所述负载模板剂的SAPO-34结晶材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所获得的SAPO-34分子筛具有微孔结构，且为颗粒形式，平均粒度为50nm至500nm或50nm至200nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a)中的所述含水混合物具有以下摩尔组成：

aR:bSiO₂:cAl₂O₃:dP₂O₅:eH₂O,

其中R是模板剂，且0<a≤4，0<b≤1，0<c≤1，0<d≤1，且e为30至80。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

步骤(a)中的所述含水混合物还包含晶体生长调节剂、介孔形成剂、或两者；

来自步骤(b)的所述经干燥的材料和来自步骤(c)的所述结晶材料各自负载所述模板剂和所述晶体生长调节剂；并且

分别从所述结晶材料中除去所述模板剂和所述晶体生长调节剂以获得SAPO-34分子筛。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所获得的SAPO-34分子筛是平均粒度为50nm至500nm或50nm至200nm的颗粒形式，和/或微孔和介孔的层级结构。

8.根据权利要求6所述的方法，其中步骤(a)中的所述含水混合物具有以下摩尔组成：

aR:bSiO₂:cAl₂O₃:dP₂O₅:eH₂O:fX,

其中R是模板剂，且X是晶体生长调节剂、介孔形成剂、或两者，且a为0<a≤4，b为0<b≤1，c为0<c≤1，d为0<d≤1，e为30至80，且f为0<f≤1。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述晶体生长调节剂是聚乙二醇(PEG)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、聚亚胺、聚乙烯亚胺(PEI)、或其任意组合。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述晶体生长调节剂经过煅烧形成介孔。

11.根据权利要求7所述的方法，其中所述介孔形成剂是碳纳米管。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述含水混合物还包含金属(Me)源，其中Me是锰、镁、铜、钴、铁、镍、锗、或锌、或其氧化物。