[发明专利]焊锡凸块的修正方法有效
| 申请号： | 201680081870.3 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108713246B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 中村秀树 | 申请（专利权）人： | 千住金属工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H05K3/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊锡 修正 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种焊锡凸块的修正方法，所述修正方法是在工件上形成的焊锡凸块的修正方法，其中，所述修正方法具备：
在具有存在所述焊锡凸块缺损和/或焊锡量不足的缺陷部分的工件上覆盖与所述焊锡凸块的图案相同的掩模的工序；
利用在修正头的下部设置的第二加热器对排出到所述掩模内的熔融焊锡进行加热的工序；
对被所述第二加热器加热了的所述熔融焊锡进行吸引的吸引工序；以及
在所述吸引工序之后，通过使对用于形成所述焊锡凸块的熔融焊锡进行排出的所述修正头在所述掩模上扫描并从所述修正头排出被第一加热器加热了的所述熔融焊锡，从而将所述熔融焊锡排出到所述掩模之中的与所述缺陷部分对应的部分内的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于千住金属工业株式会社，未经千住金属工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680081870.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
