[发明专利]制造用于极紫外线光刻的隔膜组件的方法、隔膜组件、光刻设备及器件制造方法

权利要求书

1.一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，包括：

提供平面衬底；

在所述平面衬底的至少顶表面上形成至少一个隔膜层以形成堆叠结构，其中所述平面衬底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围绕所述桥接区的边缘区；

选择性地去除所述内部区及所述桥接区的第一部分以提供隔膜组件，所述隔膜组件包括：

形成在所述内部区上方的独立式隔膜，所述隔膜由所述至少一个隔膜层形成；

保持所述隔膜的边界，所述边界是由所述平面衬底的所述边界区形成；

围绕所述边界的边缘区段，所述边缘区段由所述平面衬底的所述边缘区形成；和

所述边界与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层及所述平面衬底的所述桥接区的第二部分形成；以及

通过切割或断裂所述桥接件而将所述边缘区段与所述边界分离以提供边缘部分被剥离的隔膜组件。

2.如权利要求1所述的方法，其中通过将机械应力施加至所述隔膜组件使所述桥接件断裂。

3.如权利要求1所述的方法，其中使用激光来切割所述桥接件。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述堆叠结构还包括：

保护层，所述保护层在所述堆叠结构的至少一顶部表面之上，使得所述至少一个隔膜层介于所述保护层与所述平面衬底之间；并且所述保护层在所述堆叠结构的侧表面之上，所述保护层抵抗用于选择性地去除所述内部区以及所述桥接区的所述第一部分的去除过程；

介于所述至少一个隔膜层与所述保护层之间的上部蚀刻阻挡层以及介于所述至少一个隔膜层与所述平面衬底之间的下部蚀刻阻挡层，其中：

所述方法还包括在已去除所述内部区以及所述桥接区的所述第一部分之后去除所述保护层，且至少所述上部蚀刻阻挡层抵抗用以去除所述保护层的去除过程。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：去除所述保护层以及一起将所述至少一个隔膜层的部分夹在中间的所述上部蚀刻阻挡层的部分及所述下部蚀刻阻挡层的部分。

6.一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，包括：

提供包括平面衬底；

在所述平面衬底的至少顶表面上形成至少一个隔膜层以形成堆叠结构，其中所述平面衬底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围绕所述桥接区的边缘区；

在所述堆叠结构的至少一顶部表面之上施加第一保护层，使得所述至少一个隔膜层介于所述第一保护层与所述平面衬底之间，并且在所述堆叠结构的侧表面之上施加第一保护层；

对所述堆叠结构及所述第一保护层应用第一去除过程以选择性地去除所述平面衬底的所述桥接区的至少一部分，由此薄化或去除所述平面衬底的所述边界区与所述边缘区之间的一体连接，所述第一保护层抵抗所述第一去除过程；

去除边缘部分，所述边缘部分包括所述边缘区及形成于所述边缘区上的层；

在去除所述边缘区之后将第二保护层施加于平面衬底和平面衬底上的层的至少侧表面之上；

应用第二去除过程以选择性地去除所述内部区以提供边缘部分被剥离的隔膜组件，其中，所述第二保护层抵抗所述第二去除过程，所述隔膜组件包括：

形成在所述内部区上方的独立式隔膜，所述隔膜由所述至少一个隔膜层形成；及

保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平面衬底的所述边界区形成。

7.如权利要求6所述的方法，其中：

所述堆叠结构还包括上部蚀刻阻挡层及下部蚀刻阻挡层，所述至少一个隔膜层位于所述上部蚀刻阻挡层与所述下部蚀刻阻挡层之间；以及

所述方法还包括在已去除所述内部区之后去除所述第二保护层，并且，至少所述上部蚀刻阻挡层抵抗用以去除所述第二保护层的去除过程。

8.如权利要求7所述的方法，还包括去除一起将所述至少一个隔膜层的部分夹在中间的所述上部蚀刻阻挡层的部分及所述下部蚀刻阻挡层的部分。