[发明专利]制造用于极紫外线光刻的隔膜组件的方法、隔膜组件、光刻设备及器件制造方法

说明书

公开制造隔膜组件的方法。在一个布置中，堆叠结构包括平面衬底和至少一个隔膜层。所述平面衬底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围绕所述桥接区的边缘区。选择性地去除所述内部区及所述桥接区的第一部分。在去除之后的所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平面衬底的所述边界区形成；围绕所述边界的边缘区段，所述边缘区段由所述平面衬底的所述边缘区形成；所述边界与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层及所述平面衬底的所述桥接区的第二部分形成。所述方法还包括通过切割或断裂所述桥接件而将所述边缘区段与所述边界分离。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月18日递交的欧洲申请15201073.2和于2016年5月25日递交的欧洲申请16171233.6的优先权，并且它们通过引用全文并入本发明。

技术领域

本发明涉及一种制造用于EUV光刻的隔膜组件的方法、一种隔膜组件、一种光刻设备，及一种器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在所述情况下，可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于IC的单层上的电路图案。可将此图案转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而进行图案的转印。一般而言，单一衬底将包含经顺次地图案化的邻近目标部分的网络。

光刻被广泛地认为是在IC以及其他器件和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻所制造的特征的尺寸变得愈来愈小，光刻正变成用于使得能够制造小型IC或其他器件和/或结构的更具决定性的因素。

图案印刷极限的理论估计可通过瑞利(Rayleigh)分辨率准则给出，如方程式(1)所示出：

CD＝k₁*λ/NA (1)

其中入是所使用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是工艺相依调整因子(也被称为瑞利常数)，CD是经印刷特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从方程式(1)可见，可以以三种方式来获得特征的最小可印刷尺寸的减少：通过缩短曝光波长X、通过增加数值孔径NA，或通过减低k₁的值。

为了缩短曝光波长且因此减少最小可印刷尺寸，已提议使用极紫外线(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在10纳米至20纳米的范围内(例如在13纳米至14纳米的范围内)的波长的电磁辐射。已进一步提议可使用具有小于10纳米(例如在5纳米至10纳米的范围内，诸如6.7纳米或6.8纳米)的波长的EUV辐射。这种辐射被称为极紫外线辐射或软x射线辐射。例如，可能的源包括激光产生等离子体源、放电等离子体源，或基于由电子储存环提供的同步加速器辐射的源。

光刻设备包括图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。辐射被提供通过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。可提供隔膜组件以保护图案形成装置免受空浮粒子及其他形式的污染影响。用于保护图案形成装置的隔膜组件可被称为保护膜。图案形成装置的表面上的污染可造成衬底上的制造缺陷。隔膜组件可包括边界及跨越所述边界拉伸的隔膜。例如由于隔膜薄化，难以在过程中隔膜组件不变形的情况下制造隔膜组件。

也难以在过程中隔膜组件不受损或不受污染的情况下制造隔膜组件。例如，在制造隔膜组件的工艺期间，隔膜可能不期望地被氧化或淀积在隔膜上沉积不想要的污染物粒子。

需要减少诸如保护膜的隔膜组件在其制造期间变形、受损或受污染的可能性。

发明内容