[发明专利]激光加工装置在审
| 申请号： | 201680082450.7 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN108698171A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 诹访雅也;坂本隼规 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/08;B23K26/142;B23K26/402;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝色半导体激光器 激光加工装置 介电薄膜 激光光 连续波 照射部 半导体激光器驱动 加工对象部位 波长 基板 照射 驱动 | ||
【权利要求书】：
1.一种激光加工装置，包括：
介电薄膜，形成于基板的表面；
蓝色半导体激光器，波长为400nm频带；
半导体激光器驱动部，通过对所述蓝色半导体激光器进行驱动而使所述蓝色半导体激光器产生连续波的激光光；以及
照射部，将利用所述蓝色半导体激光器而产生的连续波的激光光照射至所述介电薄膜的加工对象部位。
2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其包括：移动机构部，使所述照射部相对于所述介电薄膜以规定的速度移动，或使所述介电薄膜相对于所述照射部以规定的速度移动。
3.根据权利要求1或2所述的激光加工装置，其包括：气体喷射部，在激光照射时，对所述介电薄膜喷射惰性气体。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的激光加工装置，其包括：加热部，与所述基板接触或配置在所述基板的附近，对所述基板进行加热。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的激光加工装置，其中所述介电薄膜包含氮化硅。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的激光加工装置，其中所述介电薄膜包含二氧化硅。
7.根据权利要求1至4任一项所述的激光加工装置，其中所述介电薄膜包含二氧化钛。
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