[发明专利]激光加工装置在审
申请号: | 201680082450.7 | 申请日: | 2016-02-25 |
公开(公告)号: | CN108698171A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 诹访雅也;坂本隼规 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所 |
主分类号: | B23K26/362 | 分类号: | B23K26/362;B23K26/08;B23K26/142;B23K26/402;B23K26/70 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艳青;姚开丽 |
地址: | 日本京都府京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蓝色半导体激光器 激光加工装置 介电薄膜 激光光 连续波 照射部 半导体激光器驱动 加工对象部位 波长 基板 照射 驱动 | ||
本发明的激光加工装置包括:介电薄膜(12),形成于基板(11)的表面;蓝色半导体激光器(3),波长为400nm频带;半导体激光器驱动部(4),通过对所述蓝色半导体激光器(3)进行驱动而使所述蓝色半导体激光器(3)产生连续波的激光光;以及照射部(21)、照射部(22),将利用所述蓝色半导体激光器(3)而产生的连续波的激光光照射至所述介电薄膜(12)的加工对象部位。
技术领域
本发明涉及一种通过激光来加工用作电子元件的保护膜或太阳电池的抗反射膜的介电薄膜的激光加工装置。
背景技术
在电子元件中,当不存在由介电薄膜形成的保护膜时,动作会变得非常不稳定。因此,将由介电薄膜形成的保护膜涂布在电子元件上。
又,在太阳电池等中通过将介电薄膜用作抗反射膜,即使在基板侧的折射率高的情况下也可降低反射率。因此,需要在电子元件或太阳电池中形成介电薄膜。形成于基板的上部或下部的介电薄膜为绝缘体,故而无法将电极与基板加以电性连接。因此,需要对介电薄膜进行加工而加以去除,将基板与电极加以接合。
之前,作为对介电薄膜进行加工的方法,是使用蚀刻(etching)等,但利用所述方法会耗费时间,无法对介电薄膜进行精密加工。因此,通过激光来对介电薄膜进行加工。
[现有技术文献]
[非专利文献]
非专利文献1:G.普兰等人(G.Poulain et al.)/能量能源(Energy Procedia)27(2012)516-521
非专利文献2:光伏学进展研究与应用(Prog.Photovolt:Res.Appl)/2009;17:127-136
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而,光纤激光(fiber laser)或CO2激光等的振荡波长为数十微米(μm)的比较长的波长,从而激光光会透过介电薄膜而抵达至基板。因此,因激光照射而产生的热的影响会导致基板出现裂纹,使得基板破裂。
又,在激光为短波长的紫外光(ultraviolet,UV)激光,介电薄膜例如为氮化硅的情况下,若波长为300nm频带,则折射率增大,故而反射率升高。因此,需要增大照射功率,或者无法对介电薄膜进行激光加工。
又,在所述激光加工中,通常输入脉冲光(pulse light)。但是,脉冲光的最大输出大于连续波(continuous wave,CW)光,故而基板容易破裂。因此,业界期望开发出能够仅对介电薄膜进行激光加工的激光加工装置。
本发明的课题在于提供一种可不使基板破裂,而仅对介电薄膜进行激光加工的激光加工装置。
[解决问题的技术手段]
为了解决所述问题,本发明的激光加工装置包括:介电薄膜,形成于基板的表面;蓝色半导体激光器(blue semiconductor laser),波长为400nm频带;半导体激光器驱动部,通过对所述蓝色半导体激光器进行驱动而使所述蓝色半导体激光器产生连续波的激光光;以及照射部,将利用所述蓝色半导体激光器而产生的连续波的激光光照射至所述介电薄膜的加工对象部位。
[发明的效果]
根据本发明,当使用波长为400nm频带的蓝色半导体激光器,半导体激光器驱动部对蓝色半导体激光器进行驱动时,蓝色半导体激光器产生连续波的激光光,照射部将连续波的激光光照射至介电薄膜的加工对象部位。于是,连续波的激光光在介电薄膜中进行多重反射,将高能量的激光光封闭在介电薄膜内。
由此,在介电薄膜中产生高能量的激光光的吸收,从而可去除介电薄膜。因此,可不使基板破裂,而通过激光对介电薄膜进行加工。
附图说明
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