[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680082481.2 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN108701722B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 增冈史仁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
漂移层；
第一以及第二p型阳极层，它们在所述漂移层之上彼此并排地形成；
n型阴极层以及p型阴极层，它们在所述漂移层之下彼此并排地形成；以及
n型缓冲层，其形成在所述漂移层与所述n型阴极层、所述p型阴极层之间，
所述第一p型阳极层的扩散深度比所述第二p型阳极层的扩散深度深，
所述第一p型阳极层的杂质浓度比所述第二p型阳极层的杂质浓度大，
所述n型阴极层的扩散深度比所述p型阴极层的扩散深度深，
所述n型阴极层的杂质浓度比所述p型阴极层的杂质浓度大，
所述第一p型阳极层的间距比所述n型阴极层的间距小。
2.一种半导体装置，其特征在于，具备：
漂移层；
第一以及第二p型阳极层，它们在所述漂移层之上彼此并排地形成；
n型阴极层以及p型阴极层，它们在所述漂移层之下彼此并排地形成；以及
n型缓冲层，其形成在所述漂移层与所述n型阴极层、所述p型阴极层之间，
所述第一p型阳极层的扩散深度比所述第二p型阳极层的扩散深度深，
所述第一p型阳极层的杂质浓度比所述第二p型阳极层的杂质浓度大，
所述n型阴极层的扩散深度比所述p型阴极层的扩散深度深，
所述n型阴极层的杂质浓度比所述p型阴极层的杂质浓度大，
所述n型阴极层之上的所述第一p型阳极层的间距比所述p型阴极层之上的所述第一p型阳极层的间距小。
3.一种半导体装置，其特征在于，具备：
漂移层；
第一以及第二p型阳极层，它们在所述漂移层之上彼此并排地形成；
n型阴极层以及p型阴极层，它们在所述漂移层之下彼此并排地形成；以及
n型缓冲层，其形成在所述漂移层与所述n型阴极层、所述p型阴极层之间，
所述第一p型阳极层的扩散深度比所述第二p型阳极层的扩散深度深，
所述第一p型阳极层的杂质浓度比所述第二p型阳极层的杂质浓度大，
所述n型阴极层的扩散深度比所述p型阴极层的扩散深度深，
所述n型阴极层的杂质浓度比所述p型阴极层的杂质浓度大，
由所述第一p型阳极层和所述第二p型阳极层构成的1个周期的间距比由所述n型阴极层和所述p型阴极层构成的1个周期的间距小。
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