[发明专利]半导体装置

说明书

在漂移层(1)之上彼此并排地形成有第一p型阳极层(2)以及第二p型阳极层(3)。在漂移层(1)之下彼此并排地形成有n型阴极层(5)以及p型阴极层(6)。在漂移层(1)与n型阴极层(5)、p型阴极层(6)之间形成有n型缓冲层(7)。第一p型阳极层(2)的扩散深度比第二p型阳极层(3)的扩散深度深。第一p型阳极层(2)的杂质浓度比第二p型阳极层(3)的杂质浓度大。n型阴极层(5)的扩散深度比p型阴极层(6)的扩散深度深。n型阴极层(5)的杂质浓度比p型阴极层(6)的杂质浓度大。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

近年来，正在开发半导体二极管(例如，参考专利文献1)。作为半导体二极管的V_F-E_REC折衷特性的控制手段，传统上采用的是使用了重金属扩散或者电子·离子照射技术的寿命控制。

专利文献1：日本特开平2－86173号公报

发明内容

但是，就寿命控制而言，根据电子·离子照射时的相对于被照射体的照射角度或温度等，V_F-E_REC的波动大。另外，存在由于因芯片通电工作时的自发热带来的晶格缺陷的变化而导致的电气特性的变动、由于因晶格缺陷引起的泄露电流大而导致的高温工作时的热失控等问题。

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到能够对V_F-E_REC折衷特性进行调整而不依赖于寿命控制的半导体装置。

本发明所涉及的半导体装置的特征在于，具备：漂移层；第一以及第二p型阳极层，它们在所述漂移层之上彼此并排地形成；n型阴极层以及p型阴极层，它们在所述漂移层之下彼此并排地形成；以及n型缓冲层，其形成在所述漂移层与所述n型阴极层、所述p型阴极层之间，所述第一p型阳极层的扩散深度比所述第二p型阳极层的扩散深度深，所述第一p型阳极层的杂质浓度比所述第二p型阳极层的杂质浓度大，所述n型阴极层的扩散深度比所述p型阴极层的扩散深度深，所述n型阴极层的杂质浓度比所述p型阴极层的杂质浓度大。

发明的效果

在本发明中，第一p型阳极层的扩散深度比第二p型阳极层的扩散深度深，第一p型阳极层的杂质浓度比第二p型阳极层的杂质浓度大，n型阴极层的扩散深度比p型阴极层的扩散深度深，n型阴极层的杂质浓度比p型阴极层的杂质浓度大。由此，能够广范围地对V_F-E_REC折衷特性进行调整而不依赖于寿命控制。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖面图。

图2是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的剖面图。

图3是表示本发明的实施方式3所涉及的半导体装置的剖面图。

图4是表示本发明的实施方式4所涉及的半导体装置的剖面图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式所涉及的半导体装置进行说明。对相同或相应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复说明。

实施方式1

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖面图。在n^-型漂移层1之上彼此并排地形成有第一以及第二p型阳极层2、3。阳极电极4与第一以及第二p型阳极层2、3以欧姆接触的方式连接。

在n^-型漂移层1之下彼此并排地形成有n型阴极层5以及p型阴极层6。在n^-型漂移层1与n型阴极层5、p型阴极层6之间形成有n型缓冲层7。阴极电极8与n型阴极层5、p型阴极层6以欧姆接触的方式连接。n型阴极层5以及p型阴极层6通过阴极电极8进行短路。