[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一导电类型半导体层，设置在所述衬底上；

第二导电类型半导体层，设置在所述第一导电类型半导体层上；以及

有源层，设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，

其中所述第一导电类型半导体层包括第一区域，所述第一导电类型半导体层的一部分暴露在所述第一区域中，

其中倾斜部分设置在所述第一区域的上表面与所述第二导电类型半导体层的上表面之间，

其中所述倾斜部分包括与所述第二导电类型半导体层的所述上表面接触的第一边缘和与所述第一导电类型半导体层的所述第一区域的所述上表面接触的第二边缘，

其中第一长度与第二长度的比率为1：0.87至1：4.26，以及

其中所述第一长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第一方向的长度，所述第二长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第二方向的长度，并且所述第一方向和所述第二方向彼此垂直，

其中所述第一边缘是所述倾斜部分的一端，所述第二边缘是所述倾斜部分的另一端，

其中所述第一导电类型半导体层包括AlGaN，所述第二导电类型半导体层包括AlGaN，所述有源层包括AlGaN，

其中所述倾斜部分与所述第二边缘处的所述第一区域的所述上表面之间的角度为115°至139°，并且

其中所述第一长度为0.47μm至1.15μm，所述第二长度为1μm至2μm。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述倾斜部分上的钝化层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一长度为0.93μm至1.15μm。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述倾斜部分与所述第二边缘处的所述第一区域的所述上表面之间的角度为115°至120°。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电类型半导体层是n-Al_yGa_(1-y)N，所述第二导电类型半导体层是p-Al_xGa_(1-x)N，并且所述第一导电类型半导体层中Al的含量y为0.4至0.6。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一电极，设置在所述第一导电类型半导体层的所述第一区域中；以及

第二电极，设置在所述第二导电类型半导体层上，

其中所述第一电极与所述第二边缘间隔开，以及

其中所述第二电极与所述第一边缘间隔开。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中第二边缘与所述第一电极之间的距离为至少10μm，所述第一边缘与所述第二电极之间的距离为至少10μm。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述倾斜部分的第一内角不同于第一侧表面的第二内角，所述第一侧表面包括所述第一导电类型半导体层的侧表面、所述有源层的侧表面和所述第二导电的侧表面半导体层的侧表面，以及

其中所述第一侧表面相对于所述衬底的上表面倾斜，所述第一侧表面的一端与所述衬底接触，所述第一侧表面的另一端与所述第二导电类型半导体层的所述上表面接触。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电类型半导体层、所述有源层和所述第二导电类型半导体层形成发光结构。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中发光结构产生紫外光。

11.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述钝化层设置在所述第一导电类型半导体层的侧表面、所述有源层的侧表面、所述第二导电类型半导体层的侧表面和所述倾斜部分上。