[发明专利]半导体器件

说明书

一个实施例包括：衬底；第一导电半导体层，设置在衬底上；第二导电半导体层，设置在第一导电半导体层上；以及有源层，设置在第一和第二导电半导体层之间，其中第一导电半导体层包括第一导电半导体层的一部分暴露其中的第一区域，并且包括设置在第一区域的上表面与第二导电半导体层上表面之间的倾斜部分，其中倾斜部分包括与第二导电半导体层上表面接触的第一边缘和与第一导电半导体层的第一区域上表面接触的第二边缘，其中第一和第二长度的比率为1：0.87至1：4.26，其中第一长度是第一和第二边缘之间沿第一方向的长度，第二长度是第一和第二边缘之间沿第二方向的长度，其中第一和第二方向是彼此垂直的方向。

技术领域

实施例涉及一种半导体器件。

背景技术

包括诸如GaN的III-V族化合物的半导体器件由于其物理和化学性质，作为半导体光学器件(诸如发光二极管(LED)、光接收器件、激光二极管(LD)和太阳能电池)的基本材料而备受关注。

氮化物半导体光学器件用作各种产品的光源，例如蜂窝电话、键盘、显示板和照明设备的背光。特别是，随着数字产品的发展，对具有更高亮度和更高可靠性的氮化物半导体光学器件的需求增加。

此外，当使用III-V族或II-VI族化合物的半导体材料制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，随着器件材料的发展，可以通过吸收各种波长的光并产生光电流来利用从伽马射线到无线电波长带的各种波长区域的光。另外，这种半导体器件具有诸如响应速度快、安全、环境友好或易于控制器件材料的优点，因此可以容易地用于功率控制或微波电路或通信模块。

因此，半导体器件适用于光通信装置的传输模块、代替构成液晶显示器(LCD)背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光、可代替荧光灯或白炽灯的白色发光二极管照明设备、车头灯和交通灯以及用于感测气体或火灾的传感器。另外，半导体器件适用于高频电路、其他电源控制设备和通信模块。

发明内容

技术问题

实施例提供一种能够确保可靠性并抑制工作电压增加的半导体器件。

技术方案

在一个实施例中，一种半导体器件包括：衬底；第一导电类型半导体层，设置在所述衬底上；第二导电类型半导体层，设置在所述第一导电类型半导体层上；以及有源层，设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间。所述第一导电类型半导体层包括第一区域，所述第一导电类型半导体层的一部分暴露在所述第一区域中，倾斜部分设置在所述第一区域的上表面与所述第二导电类型半导体层的上表面之间，所述倾斜部分包括与所述第二导电类型半导体层的所述上表面接触的第一边缘和与所述第一导电类型半导体层的所述第一区域的所述上表面接触的第二边缘，所述第一长度与所述第二长度的比率为1：0.87至1：4.26，以及所述第一长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第一方向的长度，所述第二长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第二方向的长度，并且所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。

所述倾斜部分与所述第二边缘处的所述第一区域的所述上表面之间的角度可以为115°至139°。

所述第一长度为0.47μm至1.15μm，所述第二长度可以为1μm至2μm。

所述半导体器件还可以包括设置在所述倾斜部分上的钝化层。

所述第一长度可以为0.93μm至1.15μm。

所述倾斜部分与所述第二边缘处的所述第一区域的所述上表面之间的角度可以为115°至120°。

所述第一导电类型半导体层可以是n-Al_yGa_(1-y)N，所述第二导电类型半导体层可以是p-Al_xGa_(1-x)N，并且所述第一导电类型半导体层中Al的含量y可以为0.4至0.6。