[发明专利]用于SOI晶体管的对接本体接触

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一栅极多晶硅结构，其限定第一本体区域，所述第一本体区域具有第一导电类型；

第二栅极多晶硅结构，其限定第二本体区域，所述第二本体区域具有所述第一导电类型；

与所述第一本体区域相邻的第一漏极区域，其具有第二导电类型；

与所述第一本体区域相邻的第一源极区域，其具有所述第二导电类型；

与所述第二本体区域相邻的第二源极区域，其具有所述第二导电类型；

与所述第二本体区域相邻的第二漏极区域，其具有所述第二导电类型，

所述第一源极区域和所述第二漏极区域限定第一公共源极/漏极区域，所述第一公共源极/漏极区域具有所述第二导电类型；

所述第二栅极多晶硅结构中的断开区域，所述断开区域被配置成在所述第二本体区域中形成中断；

第一非导电隔离区域，其在所述中断的区域中形成，并且被配置成将所述第二本体区域分成两个分开的第二本体区域；

具有所述第一导电类型的至少一个第一本体接触区域，所述至少一个第一本体接触区域在所述第一公共源极/漏极区域内形成，与所述第一本体区域和所述第二本体区域分开并且抵接所述第一非导电隔离区域；以及

至少一个第一多晶硅突出部，其限定具有所述第一导电类型的至少一个第一本体突出部，所述至少一个第一本体突出部跨所述第一公共源极/漏极区域延伸，与所述第一本体区域和所述至少一个第一本体接触区域接触，

其中，所述第一非导电隔离区域、所述至少一个第一本体接触区域以及所述至少一个第一本体突出部限定第一对接本体连结结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一非导电隔离区域还被配置成延伸所述第一公共源极/漏极区域的硅区域，以为所述至少一个第一本体接触区域和所述至少一个第一本体突出部提供连续硅区域。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一非导电隔离区域还被配置成在所述第二源极区域中形成中断，以将所述第二源极区域分成两个分开的第二源极区域。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体结构，其中，所述至少一个第一本体突出部的长度大于由所述第一本体区域与所述第二本体区域之间的间隔限定的长度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一本体突出部沿这样的方向延伸，所述方向与由所述第一本体区域和所述第二本体区域沿所述第一本体区域和所述第二本体区域的宽度限定的方向垂直。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

具有所述第一导电类型的至少一个第二本体接触区域，其与所述第一本体区域和所述第二本体区域分开；以及

具有所述第一导电类型的至少一个第二本体突出部，其延伸至所述第二源极区域中，并且与所述两个分开的第二本体区域中的一个和所述至少一个第二本体接触区域接触。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括：

具有所述第一导电类型的另外的第二本体接触区域，其与所述第一本体区域和所述第二本体区域分开；以及

具有所述第一导电类型的另外的第二本体突出部，其延伸至所述第二源极区域中，并且与所述两个分开的第二本体区域中的另一个和所述另外的第二本体接触区域接触。

8.根据权利要求6或权利要求7所述的半导体结构，其中，所述至少一个第二本体接触区域在所述第二源极区域内形成，以被所述第二源极区域横向围绕。

9.根据权利要求6或权利要求7所述的半导体结构，其中，所述至少一个第二本体接触区域抵接所述第二源极区域。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述至少一个第二本体接触区域和所述另外的第二本体接触区域形成连续的硅区域。