[发明专利]具有用于改进的访问电阻的V形槽S/D轮廓的III-V族FINFET晶体管

权利要求书

1.一种装置，包括：

设置在电路衬底的表面上的晶体管器件，所述晶体管器件包括：

主体，所述主体包括高度尺寸、限定宽度尺寸的相对侧壁、以及在源极区和漏极区之间限定沟道区的长度尺寸；以及

在所述沟道区中的所述主体上的栅极叠层，

其中，所述主体的源极区和漏极区中的至少一个包括在所述相对侧壁之间的接触表面，并且所述接触表面包括轮廓，使得所述接触表面的高度尺寸在侧壁处大于所述侧壁之间的点处。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述接触表面在所述相对侧壁之间限定凹槽，使得所述主体的源极区与漏极区中的每个的侧壁之间的接触表面的表面积大于没有所述凹槽情况下由所述主体的宽度尺寸限定的表面积。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述凹槽包括字母V的形状。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述主体的沟道区包括III族至V族化合物半导体材料。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述主体的沟道区包括铟-镓-砷化物。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述主体设置在缓冲材料上。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述缓冲材料包括锗或不同于所述沟道材料的III族至V族化合物半导体材料。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述栅极叠层包括栅电极和栅极介电材料，其中，所述栅极介电材料设置在所述沟道区和所述栅电极之间。

9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述沟道区中的主体的轮廓不同于所述源极区和所述漏极区中的至少一个中的主体的轮廓。

10.一种方法，包括：

在电路衬底上形成晶体管器件主体，所述晶体管器件主体包括高度尺寸、限定宽度尺寸的相对侧壁、以及在源极区和漏极区之间限定沟道区的长度尺寸；

在所述源极区和所述漏极区中的至少一个中的主体中形成凹槽；以及

在所述沟道区中的所述主体上形成栅极叠层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成凹槽包括在所述源极区和所述漏极区中蚀刻所述主体。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述凹槽包括字母V的形状。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述主体包括III族至V族化合物半导体材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述主体包括铟-镓-砷化物。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述主体形成在缓冲材料上。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述沟道区中的主体的轮廓不同于在所述源极区和所述漏极区中的至少一个中的主体的轮廓。

17.一种系统，包括：

计算机，所述计算机包括耦合到印刷电路板的处理器，所述处理器包括晶体管器件电路，其中，非平面晶体管器件包括(1)主体，所述主体包括高度尺寸、限定包括相对侧壁之间的接触表面的宽度尺寸的所述相对侧壁、以及在源极区和漏极区之间限定沟道区的长度尺寸，其中，所述源极区和所述漏极区中的至少一个的接触表面包括凹槽；以及(2)在所述沟道区的接触表面上的栅极叠层。

18.根据权利要求17所述的系统，其中，所述晶体管器件的主体是III族到V族化合物半导体材料。