[发明专利]遮板及其使用方法

权利要求书

1.一种用于在基材上进行气相沉积的设备，所述设备包括：

布置在真空室中、或限定其一部分的底板；

基材支架，所述基材支架在所述真空室中布置在底板上方并且配置为接纳至少一个基材；

在所述真空室中布置在所述基材支架下方、所述底板上方的蒸发源；以及

包括至少两个叶片的源遮板，所述至少两个叶片被配置为在第一位置与第二位置之间移动，从而使得在所述第一位置，所述至少两个叶片沿某一维度重叠，并且所述遮板不遮盖所述蒸发源，在所述第二位置，所述至少两个叶片重叠的程度小于在所述第一位置，并且所述遮板遮盖所述蒸发源。

2.如权利要求1所述的设备，其中，所述至少两个叶片中的至少一个被配置为将另一个叶片从所述第一位置拉到所述第二位置。

3.如权利要求1至2中任一项所述的设备，其中，所述至少两个叶片中的至少一个包括狭缝，并且另一个叶片联接至销，所述销被配置为延伸穿过所述狭缝，所述狭缝和销的组合被配置为使得带有所述销的叶片在所述第一位置与所述第二位置之间移动时拉动带有所述狭缝的叶片。

4.如权利要求1至3所述的设备，包括可旋转轴，所述可旋转轴与所述至少两个叶片中的至少一个成固定关系联接、并且被配置为将所述至少一个叶片旋转为所述叶片联接在所述第一位置与所述第二位置之间。

5.如权利要求4所述的设备，其中，所述至少两个叶片中的另一个与非旋转部件成固定关系联接，所述非旋转部件在所述真空室内或限定所述真空室。

6.如权利要求1至5中任一项所述的设备，其中，所述叶片被配置为在所述第一位置与所述第二位置之间旋转。

7.如权利要求1至6中任一项所述的设备，进一步包括布置在两个叶片之间的O形环，所述O形环包括自润滑式聚合物。

8.如权利要求1至8中任一项所述的设备，其中，所述遮板在所述第一位置时包括比在所述第二位置时的外露表面区域更大的外露表面区域。

9.如权利要求8所述的设备，其中，所述外露表面区域增加了至少2倍，或其中所述遮板包括至少3个叶片。

10.如权利要求1至9中任一项所述的设备，其中：

所述蒸发源是离子源或气相沉积源；

所述蒸发源是电子束蒸发源或焦耳效应蒸发源；

所述蒸发源是RF高频离子源；

所述蒸发源具有至少5cm²的源面积；

所述叶片包括钼、钽、钨、钛、氮化硼、金、银、铂、铜、铝、镍、铍、碳化硅、氮化硅、氮化硼、氧化硅、氧化铍和氮化铝中的一种或多种；

所述至少两个叶片联接至包括活塞杆的双作用式气缸，从而使得所述活塞杆的运动引起所述至少两个叶片的旋转；

所述叶片在所述第二位置时为扇形；或

所述叶片在所述第一位置时叠起来。

11.一种真空沉积方法，所述方法包括以下步骤：

将源遮板从布置在真空沉积室中的蒸发源移开，其中，所述源遮板包括第一叶片和第二叶片；并且

从所述蒸发源蒸发成膜材料，

其中，将所述源遮板从所述蒸发源移开包括使所述第一叶片旋转，从而引起所述第二叶片旋转。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包括将所述源遮板移向所述蒸发源，其中，将所述源遮板移向所述蒸发源包括使所述第一叶片旋转，从而引起所述第二叶片旋转。

13.如权利要求11或12所述的方法，其中，通过所述第一叶片推动或拉动所述第二叶片，使所述第二叶片旋转。