[发明专利]用于结合两个基板的装置和方法有效
申请号: | 201680089133.8 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN109791898B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | M.温普林格;F.库尔茨;V.德拉戈伊 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/18;H01L21/20;H01L21/683 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 邹松青;刘茜 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 结合 两个 装置 方法 | ||
1.一种用于将第一基板(2o)的第一基板表面(2os)结合至第二基板(2u)的第二基板表面(2us)的装置(10、10'),所述装置具有:
- 用于容纳所述第一基板(2o)的第一基板保持器(6o、6o')、
- 用于容纳所述第二基板(2u)的第二基板保持器(6u、6u'),
其特征在于,
至少所述第一基板保持器(6o、6o')具有第一凹部(7o)以及至少部分地环绕所述第一凹部(7o)的隆起(8o),所述第一凹部具有用于将所述第一基板(2o)固定在所述第一凹部中的固定装置(3),其中,所述第一凹部(7o)和/或所述隆起(8o)以如下方式适应于所述第一基板(2o),使得所述第一基板表面(2os)与扩展表面(8os)形成大致连续表面和/或合并到所述隆起(8o)中,其中,在所述第一基板(2o)基板周边与所述隆起(8o)的内壁(8oi)之间的第一距离(ho)小于1 mm,其中,在所述第一基板表面(2os)与所述扩展表面(8os)之间的第二距离(vo)小于 1 mm。
2.根据权利要求1所述的装置(10、10'),其中,所述隆起(8o)具有扩展表面(8os),所述扩展表面用于扩展所述第一基板表面(2os)。
3.根据权利要求1或2所述的装置(10、10'),其中,所述第一凹部(7o)和/或所述隆起(8o)能够被手动地和/或半自动地和/或自动地修改,使得所述第一基板表面(2os)与所述扩展表面(8os)形成大致连续表面和/或合并到所述隆起(8o)中。
4.根据权利要求1或2所述的装置(10、10'),其中,所述第一基板保持器(6o、6o')具有外部部件(1o')和能够在所述外部部件(1o')中移动的内部部件(5o),其中,所述外部和/或内部部件(5o)能够平移地和/或旋转地移动,其中,所述外部部件(1o')和所述内部部件(5o)能够固定到彼此。
5.根据权利要求1或2所述的装置(10、10'),其中,在所述第一基板表面(2os)和所述扩展表面(8os)之间的竖直距离(vo、vu)是可调整的。
6.根据权利要求1或2所述的装置(10、10'),所述装置具有至少一个孔(11)以用于抽空和/或冲洗所述第一凹部(7o)。
7.根据权利要求1或2所述的装置(10、10'),其中,所述隆起(8o、8'、8'')具有朝内和/或朝外弯曲的扩展表面。
8.根据权利要求1或2所述的装置(10、10'),其中,所述隆起(8o、8'、8IV)具有朝内和/或朝外以一角度(a)倾斜的扩展表面(8o、8s'''、8sIV)。
9.根据权利要求1所述的装置(10、10'),其中,所述第一凹部(7o)和/或所述隆起(8o)以如下方式适应于所述第一基板(2o)的形状,使得所述第一基板表面(2os)与扩展表面(8os)形成大致连续表面和/或合并到所述隆起(8o)中,其中,在所述第一基板(2o)基板周边与所述隆起(8o)的内壁(8oi)之间的第一距离(ho)小于1 mm,其中,在所述第一基板表面(2os)与所述扩展表面(8os)之间的第二距离(vo)小于 1 mm。
10.根据权利要求1所述的装置(10、10'),其中,所述隆起(8o)具有扩展表面(8os),所述扩展表面用于无缝扩展所述第一基板表面(2os)。
11.根据权利要求6所述的装置(10、10'),其中,若干孔(11)以对称分布的方式布置。
12.根据权利要求6所述的装置(10、10'),其中,所述第一基板保持器(6o、6o')具有外部部件(1o')和能够在所述外部部件(1o')中移动的内部部件(5o),其中,若干孔(11)布置在所述内部部件中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造