[发明专利]用于结合两个基板的装置和方法有效
申请号: | 201680089133.8 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN109791898B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | M.温普林格;F.库尔茨;V.德拉戈伊 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/18;H01L21/20;H01L21/683 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 邹松青;刘茜 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 结合 两个 装置 方法 | ||
提出了用于结合两个基板的装置、系统和方法。第一基板保持器具有凹部和隆起。
背景技术
在现有技术中,许多年来,已经通过所谓的结合过程将基板联结至彼此。特别地,半导体行业对于两个表面在室温下的直接结合有巨大的兴趣,在其中,首先形成所谓的预结合,之后是后续的热处理步骤。
该结合方法称为直接或熔融结合。借助于熔融结合,在使两个基板关于彼此对准的对准过程之后,用户能够立即使基板表面固定至彼此。在该情形中,用户以针对性的方式使用表面的粘附能力,特别是亲水性。首先使基板更靠近彼此,直到其以非常小的距离间隔开为止。然后,基板、特别是上基板弯曲,使得两个基板理想地以点状方式彼此接触。之后不久,释放基板、特别是上基板的固定。借助于重力和/或针对性控制,结合波从接触点传播,这产生了两个基板的全区域接触,且因此产生了两个基板的全区域预结合。在结合波的传播过程期间,在结合波上游的所有气体被压缩,且在结合波的前方被推动。至少对于大部分来说,结合界面保持不具有气体包含部。
在预结合的产生期间非常经常发生的现象是称为边缘缺陷(特别是边缘空隙)的现象。这些边缘空隙是气体包含部,如果气体由于改变的物理状态而液化,则其会出现。结合波然后传播超过液化气体,且局部围封液化气体。在已经产生预结合之后,物理状态重新改变,这导致先前凝结的气体的蒸发。该蒸发然后导致预结合的局部破坏,借助于超声测量或红外测量,可清楚地检测到这一点。Castex等的Mechanism of Edge Bonding VoidFormation in Hydrophilie Direct, ECS Solid State Letters,2(6)P47-P50(2013)非常详细地描述了气体的凝结如何在结合波的上游发生。
基板表面从来不是完全纯净的。不同的原子和分子被吸收在基板表面上,即使仅以单个单层吸收。因为所有气氛都包含并非微不足道地小比例的水蒸气,所以水是基板表面污染的主要成分中的一种。此外,有机物质,甚至微粒或诸如氧气、氮气或氦气的原子或者分子气体可能会粘附到基板表面。在该公开文献中,主要示出设备和方法,以便从基板表面移除气体、特别是水,或者以便防止其凝结。假定基板表面没有有机成分,尤其是没有微粒。
气体、然而还特别是气体混合物具有取决于压力和温度的焦耳-汤普逊系数(JTK)。JTK决定气体或气体混合物在等焓膨胀的情形中是否经受冷却或加热。
等焓膨胀被理解为意味着气体或气体混合物从第一、压缩状态至第二、压缩更少的状态的过渡,其中,气体的焓保持不变。在等焓膨胀期间,具有正JTK的气体或气体混合物具有冷却的性质。具有负JTK的气体或气体混合物具有在等焓膨胀期间加热的性质。所蕴含的物理效应是分子的吸引或排斥能力。如果在预定温度下分子彼此吸引,则必须做功、即必须使用能量来使它们彼此分离。该功从系统被移除,因此降低分子的速度,且因此降低温度。如果在预定温度下分子排斥,则由系统执行功、即释放能量。该释放的能量因此增加了分子的速度,且因此增加温度。
公开的文献Castex等的Mechanism of Edge Bonding Void Formation inHydrophilie Direct, ECS Solid State Letters,2(6)P47-P50(2013)非常精确地描述了哪些物理过程在基板边缘附近发生。以简化的方式来说,应当提及,在基板摩擦接触空间的出口处,气体或气体混合物经历非常高的压力下降。由于该过程在不到一秒内发生的事实,能量无法足够迅速地被耗散,且该过程能够被视为是等焓的。因此,气体或气体混合物的JTK决定在等焓膨胀期间发生的是气体或气体混合物冷却还是加热。气体或气体混合物的冷却能够如此强烈,以致于下射到气体或气体混合物的露点,并且气体或气体混合物或气体混合物的单个成分凝结。基板表面用作结晶核。因此,其是非均匀成核,其比在气体相中的均匀成核具有甚至更低的成核能量。必须避免该凝结的物理过程。
发明内容
因此,本发明的目的是克服现有技术的缺点,且特别是实现改进的结合结果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造