[发明专利]用于减小应力的圆化的金属迹线拐角

权利要求书

1.一种集成电路封装，包括：

第一集成电路管芯；

第二集成电路管芯；

衬底，其中，所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯都连接到所述衬底；以及

嵌入在所述衬底内的互连桥，其中，所述互连桥包括至少一个金属迹线部件，其中，所述金属迹线部件包括所述金属迹线部件的底部部分上的圆化的拐角。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述第一集成电路管芯通过表面安装技术连接到所述衬底。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述第一集成电路管芯通过球栅阵列连接到所述衬底。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述互连桥允许在所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯之间通信。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述互连桥小于100μm厚。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述互连桥小于50μm厚。

7.一种互连桥，包括：

一个或多个通信过孔，所述通信过孔能够将所述互连桥连接到外部电装置；

连接到电源的一个或多个电力输送部件；

金属迹线通信部件，其中，所述金属迹线通信部件的底部具有弯曲拐角，并且其中，所述互连桥嵌入在有机衬底中。

8.根据权利要求7所述的互连桥，其中，所述互连桥将第一集成电路管芯通信地连接到第二集成电路管芯。

9.根据权利要求7的任一项所述的互连桥，其中，所述第一集成电路管芯通过表面安装技术连接到所述有机衬底。

10.根据权利要求9所述的互连桥，其中，所述第一集成电路管芯通过球栅阵列连接到所述有机衬底。

11.根据权利要求7所述的互连桥，其中，所述互连桥小于50μm厚。

12.一种方法，包括：

建立互连桥的第一硅层；

将抗蚀剂掩模施加到所述第一硅层；

通过等离子体蚀刻去除未被所述抗蚀剂掩模覆盖的所述硅层中的至少一些，以在所述第一硅层中建立凹槽，其中，控制与所述等离子体蚀刻相关联的压力水平和气体组分以获得具有圆化的底部的凹槽；

利用导电金属填充所述凹槽；以及

在衬底中嵌入所述互连桥。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，控制所述压力水平包括将所述压力提高40％。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述等离子体蚀刻工艺期间控制所述气体组分包括将长链碳氟化合物减少80％。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述等离子体蚀刻工艺期间控制所述气体组分包括将短链碳氟化合物添加到所述气体组分中。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述等离子体蚀刻工艺期间控制所述气体组分包括将所述气体组分的氧分量减少20％。

17.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述等离子体蚀刻工艺期间控制所述气体组分包括将惰性载气减少50％。

18.根据权利要求12所述的方法，其中，所述互连桥小于100μm厚。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述互连桥小于50μm厚。

20.根据权利要求12所述的方法，其中，所述互连桥将第一集成电路管芯通信地连接到第二集成电路管芯。